纳米ZnO阵列场发射性能研究  

Investigation on the field emission property of ZnO nanoarrays

作　　者：唐海平[1,2] 叶志镇[3] PAR KJi-yong 

机构地区：[1]宝鸡文理学院机电工程系,陕西宝鸡721007 [2]亚洲大学能源研究室 [3]浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027

出　　处：《宝鸡文理学院学报（自然科学版）》2009年第4期19-23,共5页Journal of Baoji University of Arts and Sciences(Natural Science Edition)

基　　金：国家科技部"973"项目:半导体光电功能材料的基础研究(No.2006CB604906);宝鸡文理学院院级重点项目:ZnO纳米材料的生长研究(No.ZK072)

摘　　要：目的为了进一步提高ZnO纳米阵列的场发射性能指标。方法采用掺杂n型杂质元素Al和衬底预处理的方法生长ZnO纳米阵列,对相应样品的场发射性能进行比较分析。结果和结论采用Al掺杂和衬底镀Au处理均提高了ZnO纳米阵列场发射的性能,降低了阈值场强。其中衬底镀Au并在此衬底上生长的Al掺杂ZnO纳米阵列开启电场小于0.5 V/μm、阈值电场为4.5 V/μm。Aim To enhance the field emission property of ZnO nanoarrays. Methods Pretreated substrates were used and Al-doped ZnO nanoarrays were grown on them, the field emission property of these samples were compared and analyzed. Results and Conclusions The field emission property of ZnO nanoarrays can be enhanced by using substrates with Au layer and aluminium doped ZnO nanoarrays. The samples using these methods have the turn-on field and threshold field about 0. 5 V/μm and 4.5 V/μm, respectively.

关 键 词：ZNO 场发射 开启场强 阈值场强 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程] TM912.2[电气工程—电力电子与电力传动]