溅射压强对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响  

Influence of Sputtering Pressure on the Properties of ZnO:Ga Films Prepared by DC Reactive Magnetron Sputtering

作　　者：马全宝[1] 朱丽萍[1] 叶志镇[1] 何海平[1] 王敬蕊[1] 胡少华[1] 赵炳辉[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期285-288,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60276044,60340460439)和浙江省自然科学基金(批准号:Y405126)资助项目

摘　　要：通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,ZnO:Ga薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积的ZnO:Ga薄膜最低电阻率可达4.48×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90%.

关 键 词：ZNO:GA 透明导电氧化物薄膜 磁控溅射 光电特性 

分 类 号：O484[理学—固体物理] TN304.2[理学—物理]