云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 陈金华

陈金华: 作品数：15被引量：12H指数：2; 导出分析报告; 供职机构：山东师范大学更多>>; 发文主题：磁控溅射GAN纳米线GAN氨化SI基GAN纳米棒更多>>; 发文领域：电子电信一般工业技术理学更多>>; 发文期刊：《物理化学学报》《微纳电子技术》《稀有金属材料与工程》《微细加工技术》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金更多>>

退火温度对Tb催化GaN纳米棒的影响: 《微纳电子技术》2009年第11期660-663,共4页陈金华石鑫薛成山; 国家自然科学基金项目(90301002;90201025); 用稀土金属铽(Tb)作催化剂,通过磁控溅射和退火氨化法成功制备出大量单晶GaN纳米棒,并研究退火温度对GaN纳米棒表面形貌、晶体质量和发光特性的影响。扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测试结果显示,随着退火温度的...; 关键词：氮化镓纳米棒退火温度催化剂晶体生长

钽催化磁控溅射法制备GaN纳米线(英文)被引量：3: 《稀有金属材料与工程》2009年第7期1129-1131,共3页薛成山李红庄惠照陈金华杨兆柱秦丽霞王英王邹平; 利用磁控溅射技术通过氨化Ga2O3/Ta薄膜,合成大量的一维单晶纤锌矿型氮化镓纳米线。用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征。结果表明:制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构...; 关键词：纳米结构氮化物溅射

氨化Si基Ga_2O_3/V膜制备GaN纳米线(英文): 《稀有金属材料与工程》2009年第3期377-379,共3页杨兆柱薛成山庄慧照王公堂陈金华李红秦丽霞王邹平; Key Research Program of the National Natural Science Foundation of China (90201025);the National Natural Science Foundation of China (90301002); 氨化硅基钒应变层氧化镓膜制备了大量氮化镓纳米线，X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察发现，纳米线具有十分光滑且干净的表面，其直径为20-60mm左右，长度达到十几微米。高分辨透射电子显微镜和选区电子衍射分析结果表明...; 关键词：磁控溅射氮化镓纳米线光致发光

氨化Si基Ga_2O_3/Co薄膜制备GaN纳米线被引量：1: 《功能材料》2008年第5期851-852,856,共3页秦丽霞薛成山庄惠照陈金华李红杨兆柱; 国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90201025);国家自然科学基金资助项目(90301002); 采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Co薄膜，然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的分析结果表明，采用...; 关键词：磁控溅射 GAN纳米线 CO

氨化法制备大量单晶GaN纳米线及其特性研究: 《微细加工技术》2008年第2期15-18,共4页薛成山秦丽霞庄惠照陈金华杨兆柱李红; 国家重大自然科学基金资助项目(9020102590301002); 利用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在管式炉中通入流动的氨气在950℃对薄膜进行氨化,反应后成功制备出大量GaN纳米线。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HRT...; 关键词：磁控溅射氮化镓纳米线钴 X射线衍射

磁控溅射与氨化法催化合成GaN纳米棒被引量：1: 《功能材料》2008年第4期557-558,562,共3页陈金华薛成山庄惠照秦丽霞李红杨兆柱; 国家自然科学重大基金资助项目(90201025;90301002); 使用一种新奇的稀土元素作为GaN纳米棒生长的催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜成功合成了大规模的GaN纳米棒。采用扫描电子显微镜,X射线衍射,透射电子显微镜,高分辨透射电子显微镜和傅立叶红外吸收光谱来检测样品的形...; 关键词：纳米棒 GAN 溅射单晶

磁控溅射和氨化法生长GaN纳米棒及其特性: 《微纳电子技术》2008年第2期83-86,共4页薛成山陈金华庄惠照秦丽霞李红杨兆柱王邹平; 国家自然科学基金重大研究计划项目(90301002;90201025); 使用一种新奇的稀土元素铽(Tb)作催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,合成了大量的GaN纳米棒,氨化温度为950℃,氨化时间为15min。该方法可以进行持续合成且制备的GaN纳米棒纯度较高、成本低廉。实验后分别用扫描电...; 关键词：氮化镓溅射纳米棒单晶催化剂

Synthesis and Characterization of GaN Nanorods by Ammoniating Ga_2O_3 /Co Films Deposited on Si(111) Substrates被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2008年第2期210-213,共4页秦丽霞薛成山庄惠照杨兆柱陈金华李红; 国家自然科学基金资助项目(批准号:90201025,90301002)~~; GaN nanorods are successfully synthesized on Si（111） substrates with magnetron sputtering through ammoniating Ga2O3/Co films at 950℃. X-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission el...; 关键词：NANORODS crystal growth scanning and transmission electron microscopy

GaN纳米棒的催化合成及其发光特性(英文)被引量：4: 《物理化学学报》2008年第2期355-358,共4页陈金华薛成山庄惠照李红秦丽霞杨兆柱; 国家自然科学基金(90201025,90301002)资助项目; 使用稀土元素Tb作催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,成功制备出GaN纳米棒.X射线衍射测试显示,GaN纳米棒具有六方结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出,纳米棒为单晶GaN,纳米棒的直径为50-150nm...; 关键词：GAN 纳米棒单晶发光

氨化Si基Ga_2O_3/V薄膜制备GaN纳米线: 《功能材料》2008年第1期143-144,147,共3页杨兆柱薛成山庄惠照王公堂秦丽霞李红陈金华黄英龙张冬冬; 国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90201025);国家自然科学基金资助项目(90301002); 为了制备高质量的GaN纳米结构,采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/V薄膜,然后在流动的氨气中进行氨化反应,成功制备出GaN纳米线。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品...; 关键词：磁控溅射 GAN V 纳米线

陈金华