氨化Si基Ga_2O_3/Co薄膜制备GaN纳米线  

Synthesis of GaN nanowires by ammoniating sputtered Ga_2O_3/Co films on Si substrates

作　　者：秦丽霞[1] 薛成山[1] 庄惠照[1] 陈金华[1] 李红[1] 杨兆柱[1] 

机构地区：[1]山东师范大学半导体研究所,山东济南250014

出　　处：《功能材料》2008年第5期851-852,856,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90201025);国家自然科学基金资助项目(90301002)

摘　　要：采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Co薄膜，然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的分析结果表明，采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线。通过扫描电镜（SEM）观察发现纳米线的形貌，纳米线的尺寸在50-200nm之间。GaN thin films were successfully prepared on the Si（111） substrates through ammoniating Ga2O3/Co thin films deposited by magnetron sputtering. The results of XRD,FTIR,SAED and HRTEM confirm that the as-grown films are single-crystal hexagonal GaN with wurtzite structure. We observed the morphology of GaN nanorods by SEM,we found that the diameter of GaN nanorods between 50 to 200nm.

关 键 词：磁控溅射 GAN纳米线 CO 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]