Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光  

Room Temperature Blue-UV Electroluminescence from ZnO Light-Emitting Diodes Involving Na-Doped p-Type ZnO and ZnO/ZnMgO Multi-Quantum Wells

作　　者：叶志镇[1] 林时胜[1] 何海平[1] 顾修全[1] 陈凌翔[1] 吕建国[1] 黄靖云[1] 朱丽萍[1] 汪雷[1] 张银珠[1] 李先杭[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第8期1433-1435,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604906);国家自然科学基金(批准号:批准号:50532060)资助项目~~

摘　　要：在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推进作用.Using ZnO/Zn0.9Mg0.1O multi-quantum wells as active layer and Na as acceptor dopant of ZnO, we fabricate ZnO light- emitting diode （LED） on silicon substrate. We observe strong blue-violet emission and negligible defect emission from this device under low current injection at room temperature. This work could have significant impact on the practical application of ZnO LED.

关 键 词：LED Na掺杂 P型ZNO ZnO/ZnMgO多量子阱 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]