ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光  

ZnO p-type doping and room-temperature electro-luminescence from ZnO homojunction

作　　者：叶志镇[1] 曾昱嘉[1] 卢洋藩[1] 何海平[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《中国科技论文在线》2007年第5期317-319,共3页

摘　　要：本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术,其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等;在p型掺杂的基础上,实现ZnO同质p-n结室温电注入发光。This article reports on several technique for p-type doping in ZnO thin films,including N-doping, co-doping,Li-doping,nominally undoped method,large-size-mismatched group-V doping.In addition, room-temperature electro-luminescence has been observed in ZnO homojunction based on the p-type doping technique.

关 键 词：ZNO P型掺杂 发光二极管 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学] O484.1[理学—固体物理]