卜夏正

作品数:6被引量:1H指数:1
导出分析报告
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题:分子束外延共振隧穿二极管量子效应隧穿X射线双晶衍射更多>>
发文领域:电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊:《真空科学与技术学报》《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
所获基金:中国人民解放军总装备部预研基金国防基础科研计划更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-6
视图:
排序:
用于3mm器件的GaAsPHEMT外延材料
《微纳电子技术》2015年第5期283-288,共6页卜夏正 武一宾 商耀辉 牛晨亮 王健 
开发出一种适用于3mm功率器件的新沟道结构的GaAs PHEMT外延材料。分析了提高电子迁移率的途径,讨论了InGaAs电子有效质量和In组分的关系,参考InP HEMT结构的迁移率和沟道电子有效质量推算了InGaAs沟道的In组分范围;通过计算沟道内二维...
关键词:3 mm器件 GAAS PHEMT 电子迁移率 INGAAS 电子有效质量 
InAs/GaAs系列量子点研究
《微纳电子技术》2009年第7期410-413,共4页王建峰 商耀辉 武一宾 牛晨亮 卜夏正 
为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延(MBE)技术和S-K应变自组装模式,在GaAs(100)衬底上研究生长了三种InAs量子点。采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数:As压维持在1.33×10-5Pa;InAs量子点和In0.2Ga0.8As的生...
关键词:自组装量子点 垂直耦合量子点 阱内量子点 柱状岛量子点 S-K模式 分子束外延 光致发光谱 
沟道应力对GaAs PHEMT材料电性能的影响
《微纳电子技术》2009年第4期221-225,230,共6页卜夏正 武一宾 商耀辉 牛晨亮 赵辉 崔琦 
设计并用分子束外延(MBE)法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料,采用高分辨率X射线双晶衍射仪(DCXRD)、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及电子迁移率进行了分析表征。探讨了外延片应力与沟道结构...
关键词:砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 砷化镓铟沟道 失配应力 热应力 电性能 
X射线在超晶格材料衍射中的相干性分析
《半导体技术》2007年第12期1042-1044,1081,共4页马永强 武一宾 杨瑞霞 李若凡 商耀辉 牛晨亮 卜夏正 王建峰 
国防基础科研项目(D1120060468);装备预研基金项目(9140A12030506DZ23)
X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干叠加。分子束外延(MBE)生长了短周期InGaA...
关键词:超晶格 分子束外延 X射线双晶衍射 相干长度 
隧穿型量子效应薄膜材料制备技术
《真空科学与技术学报》2007年第z1期15-17,共3页商耀辉 武一宾 卜夏正 牛晨亮 王建峰 李亚丽 张雄文 
探讨了隧穿型量子效应薄膜材料制备技术,并应用分子束外延方法制备了典型结构外延材料GaAs基共振隧穿二极管,经过器件验证,得到了较好的结果.重点讨论了关键制备技术,包括束流精细控制和间歇式生长方式,主要是为了生长出更接近完美的晶...
关键词:分子束外延 共振隧穿二极管 量子隧穿效应 
RTD纳米薄层的精细控制及X射线双晶衍射测量被引量:1
《微纳电子技术》2006年第11期508-511,519,共5页卜夏正 武一宾 商耀辉 王建峰 
在共振隧穿二极管(RTD)的MBE生长中,用双生长速率和束流调制技术实现了RTDnm级薄层的精细控制;用X射线双晶衍射仪扫描并分析了典型双势垒RTD样品的衍射摇摆曲线;用计算机对样品结构进行了动力学模拟分析。结果显示样品异质结界面和晶体...
关键词:共振隧穿二极管 纳米级薄层 精细控制 X射线双晶衍射 动力学模拟 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部