隧穿型量子效应薄膜材料制备技术  

Growth Technologies of Resonant Tunneling Thin Films

作　　者：商耀辉[1] 武一宾[1] 卜夏正[1] 牛晨亮[1] 王建峰[1] 李亚丽[1] 张雄文[1] 

机构地区：[1]河北半导体研究所,石家庄,050051 河北半导体研究所,石家庄,050051 河北半导体研究所,石家庄,050051 河北半导体研究所,石家庄,050051 河北半导体研究所,石家庄,050051 河北半导体研究所,石家庄,050051 河北半导体研究所,石家庄,050051

出　　处：《真空科学与技术学报》2007年第z1期15-17,共3页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

摘　　要：探讨了隧穿型量子效应薄膜材料制备技术,并应用分子束外延方法制备了典型结构外延材料GaAs基共振隧穿二极管,经过器件验证,得到了较好的结果.重点讨论了关键制备技术,包括束流精细控制和间歇式生长方式,主要是为了生长出更接近完美的晶体结构和晶体表面,并分析了测试结果和器件验证结果,最终得出整套隧穿型量子效应薄膜材料制备技术.

关 键 词：分子束外延 共振隧穿二极管 量子隧穿效应 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]