云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- INAS/GAAS

INAS/GAAS: 作品数：164被引量：131H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：王占国牛智川叶小玲封松林陈涌海更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院大学北京邮电大学曲阜师范大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家攀登计划更多>>

Structural design of mid-infrared waveguide detectors based on InAs/GaAsSb superlattice: 《红外与毫米波学报》2024年第4期457-463,共7页PEI Jin-Di CHAI Xu-Liang WANG Yu-Peng ZHOU Yi; Supported by the National Natural Science Foundation of China(NSFC)(61904183,61974152,62104237,62004205);the Youth Innovation Promotion Association of the Chinese Academy of Sciences(Y202057);Shanghai Science and Technology Committee Rising-Star Program(20QA1410500);Shanghai Sail Plans(21YF1455000)。; In the realm of near-infrared spectroscopy,the detection of molecules has been achieved using on-chip waveguides and resonators.In the mid-infrared band,the integration and sensitivity of chemical sensing chips are of...; 关键词：InAs/GaAsSb superlattice waveguide detector evanescent coupling GaAsSb waveguide

中山大学光电材料与技术国家重点实验室在鲁棒性拓扑角态微腔中的半导体量子点单光子发射方面取得重大进展: 《中山大学学报（自然科学版）（中英文）》2024年第2期F0003-F0003,共1页喻颖; 中山大学电子与信息学院喻颖、余思远教授团队联合中山大学物理学院陈晓东、董建文教授团队设计实现了与单个InAs/GaAs量子点的确定性耦合、单量子点的Purcell增强以及偏振的单光子发射,克服了量子拓扑光子学领域中拓扑角态与单个量子...; 关键词：INAS/GAAS量子点单光子发射半导体量子点国家重点实验室陈晓东光子学

High-temperature continuous-wave operation of 1310 nm InAs/GaAs quantum dot lasers: 《Chinese Physics B》2023年第9期510-513,共4页苏向斌邵福会郝慧明刘汗青李叔伦戴德炎尚向军王天放张宇杨成奥徐应强倪海桥丁颖牛智川; the Science and Technology Program of Guangzhou(Grant No.202103030001);the KeyArea Research and Development Program of Guangdong Province(Grant No.2018B030329001);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.62035017,61505196,and 62204238);the Scientific Instrument Developing Project of the Chinese Academy of Sciences(Grant No.YJKYYQ20170032);the Major Program of the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61790580 and 61790581);the Chinese Academy of Sciences and Changchun City Science and Technology Innovation Cooperation Project(Grant No.21SH06);Jincheng Key Research and Development Project(Grant No.20210209);the Key R&D Program of Shanxi Province(Grant No.202102030201004);the R&D Program of Guangdong Province(Grant Nos.2018B030329001 and2020B0303020001);Shenzhen Technology Research Project(Grant No.JSGG20201102145200001);the National Key Technologies R&D Program of China(Grant No.2018YFA0306100)。; Here we report 1.3μm electrical injection lasers based on InAs/GaAs quantum dots(QDs)grown on a GaAs substrate,which can steadily work at 110-℃without visible degradation.The QD structure is designed by applying the...; 关键词：InAs/GaAs quantum dots high-operating-temperature laser molecular beam epitaxy(MBE)

基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁半导体纳米结构的电子自旋输运: 《宜春学院学报》2023年第6期36-40,101,共6页李健文梁文斯钰朱昊天赖伊倩吴子明吴琦; 江西省教育厅科学技术研究项目(编号:GJJ190962);江西省大学生创新创业训练计划项目(编号:S202011319009)。; 本文研究了基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁纳米结构的电子自旋输运性质。计算了透射系数、电导和自旋极化。主要分析和讨论了δ掺杂的权重和位置对电子自旋极化输运的影响。结果表明,δ掺杂权重的增加可以显著抑制电子的透射系数和电导...; 关键词：磁纳米结构 Δ掺杂自旋极化自旋电子器件

利用InAs/GaAs数字合金超晶格改进InAs量子点有源区的结构设计: 《物理学报》2023年第12期279-285,共7页杜安天刘若涛曹春芳韩实现王海龙龚谦; 国家自然科学基金(批准号:61674096)资助的课题。; 利用分子束外延技术,通过InAs/GaAs数字合金超晶格代替传统的直接生长InGaAs层的方式,在GaAs(100)衬底上生长了InAs量子点结构并成功制备了1.3μm InAs量子点激光器.通过原子力显微镜和光致荧光谱测试手段,对传统生长模式和数字合金超...; 关键词：量子点半导体激光器分子束外延数字合金超晶格

(113)B和(100)面InAs/GaAs量子点光致发光光谱特性研究: 《半导体光电》2023年第2期222-227,共6页莫才平张靖李睿骁卢翔孟; 利用分子束外延技术在(100)和(113)B GaAs衬底上进行了有/无AlAs盖帽层量子点的生长,测量了其在4~100 K温度区间的PL光谱。通过对PL光谱的积分强度、峰值能量和半高宽进行分析进而研究载流子的热传输特性。无AlAs盖帽层的(113)B面量子点...; 关键词：分子束外延 INAS量子点光致发光 AlAs盖帽层

能级构型对InAs/GaAs量子点电磁感应透明介质中光孤子存储的影响被引量：1: 《物理学报》2023年第8期157-168,共12页王胤周驷杰陈桥邓永和; 国家自然科学基金(批准号:11832016);湖南省自然科学基金(批准号:2020JJ4240,2022JJ50115);湖南工程学院博士启动基金(批准号:22RC018)资助的课题.; 基于现有的实验,利用不同频率的光脉冲耦合到InAs/GaAs量子点的不同能级之间可形成梯形、Λ形和V形等3类量子点电磁诱导透明介质.继而研究这三类能级构型InAs/GaAs量子点电磁诱导透明介质中的光孤子形成和存储性质,结果表明,梯形和Λ形I...; 关键词：电磁诱导透明光孤子的存储与读取半导体量子点

InAs/GaAs quantum dot laterally coupled distributed feedback lasers at 1.3μm: 《Chinese Optics Letters》2023年第1期80-84,共5页于文富赵旭熠韩实现杜安天刘若涛曹春芳严进一杨锦黄华王海龙龚谦; supported by the National Key Research and Development Program of China(No.2021YFB2800500).; We report the InAs/GaAs quantum dot laterally coupled distributed feedback(LC-DFB)lasers operating at room temperature in the wavelength range of 1.31μm.First-order chromium Bragg gratings were fabricated alongside t...; 关键词：INAS quantum dot laterally coupled distributed feedback laser

静水压力调谐Ag纳米颗粒散射场下量子点激子寿命: 《物理学报》2022年第24期350-357,共8页黄君辉李元和王健李叔伦倪海桥牛智川窦秀明孙宝权; 国家自然科学基金(批准号:61827823,11974342)资助的课题。; 将InAs/GaAs量子点薄膜样品转移到Ag纳米颗粒覆盖的Si衬底上,然后将样品放到金刚石对顶砧压力腔室内.在1.09—1.98 GPa的压力范围内,测量了量子点激子的荧光光谱和时间分辨光谱.实验结果显示,随着静水压力的增大,激子的发光波长蓝移,激...; 关键词：INAS/GAAS量子点自发辐射速率 AG纳米颗粒长寿命激子静水压力

GaAsSb覆盖层对InAs/GaAs量子点性能影响的模拟研究: 《中国设备工程》2022年第18期135-137,共3页张同康王建平王玉强季莲; 本文采用八带k·p模型计算了覆盖有GaAsSb的InAs/GaAs量子点的载流子能量、跃迁能量和载流子概率密度。模拟结果表明,Sb组分增加主要影响了量子点的空穴能量,并最终导致量子跃迁能量下降。当Sb组分大于0.14,由I型量子点转变为II型量子点...; 关键词：II型量子点中间带太阳电池 GaAsSb覆盖层

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