王振

作品数：7被引量：18H指数：3
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异质集成微波光子器件发展现状被引量：3
《半导体光电》2018年第3期305-311,共7页王振 廖柯 瞿鹏飞 
微波光子学利用光子技术实现微波信号的产生、传输、处理及控制,可突破传统微波技术在带宽、传输损耗和抗电磁干扰等方面的瓶颈,提升雷达、电子战等信息系统的综合性能。激光器、电光调制器和光电探测器是微波光子技术中的三种核心光电...
关键词：微波光子学 异质集成 激光器 电光调制器 光电探测器 波导 
超辐射发光二极管的研究进展被引量：9
《半导体光电》2013年第3期361-365,400,共6页段成丽 王振 
超辐射发光二极管(SLD)是一种宽光谱光源,广泛用于光纤陀螺、光学相干断层扫描等领域。高性能SLD要求同时实现大功率和宽光谱输出,航天领域相关应用还要求其具有较高的抗辐射性能。本文从如何实现大功率、宽光谱输出和抗辐射加固等几方...
关键词：超辐射发光二极管 量子阱 量子点 大功率 宽光谱 抗辐射 
A Solar-Blind AlGaN-Based p-i-n Back-Illuminated Photodetector with a High Temperature AlN Template Layer
《Journal of Semiconductors》2008年第1期20-23,共4页邹泽亚 杨谟华 刘挺 赵文伯 赵红 罗木昌 王振 
The growth, fabrication, and characterization of a solar-blind A1GaN-based p-i-n back-illuminated photodetector with a high temperature A1N template are reported for the first time. The photodetector was fabricated fr...
关键词：solar-blind high temperature A1N template back-illuminated photodetector p-ion 
高温AlN模板上p型GaN的生长研究
《Journal of Semiconductors》2008年第1期128-132,共5页刘挺 邹泽亚 王振 赵红 赵文伯 罗木昌 周勋 杨晓波 廖秀英 
重庆市科技攻关计划资助项目(批准号:2005AA4006-B7)~~
利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明:HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN...
关键词：高温A1N 渐变δ掺杂 均匀掺杂 金属有机物化学气相沉积 P型GAN 
蓝宝石衬底上AlGaN外延材料的低压MOCVD生长
《半导体光电》2007年第6期800-803,共4页赵红 邹泽亚 赵文伯 杨晓波 刘挺 廖秀英 王振 周勇 刘万清 
采用低温AlN成核层在1180℃温度下在(0001)蓝宝石衬底上用低压MOCVD设备生长了AlGaN外延层。Al组分高达0.6、厚度大于1μm的AlGaN外延层表面光亮,晶体质量较好,(0002)X射线衍射回摆曲线半峰宽FWHM为853弧秒。当反应室气压从5×103Pa降到...
关键词：MOCVD ALGAN 低温核化层 
p型GaN的渐变δ掺杂研究被引量：2
《半导体光电》2007年第6期825-828,共4页邹泽亚 刘挺 王振 赵红 赵文伯 罗木昌 杨谟华 
重庆市科技攻关项目(2005AA8006-B7)
采用MOCVD技术及渐变-δMg掺杂方法生长了p型GaN薄膜,对样品进行了两步退火处理以对Mg进行激活。通过Hall测试发现,经过950℃下的第一次退火后,样品空穴浓度为1.64×1016cm-3,电阻率为77.9Ω.cm。经过750℃下的第二次退火后,样品的空穴...
关键词：渐变δ掺杂 Mg掺杂 P型GAN 两步退火 MOCVD 
蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长被引量：5
《Journal of Semiconductors》2007年第10期1568-1573,共6页赵红 邹泽亚 赵文伯 刘挺 杨晓波 廖秀英 王振 周勇 刘万清 
在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度为0.44nm,X射线衍射(0002)回摆曲线FWHM为166″.实...
关键词：MOCVD ALN 极性 原子级光滑 
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