刘万清

作品数:6被引量:18H指数:3
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发文期刊:《Journal of Semiconductors》《半导体光电》更多>>
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InAs量子点低温盖层对其发光特性的影响被引量:2
《半导体光电》2020年第1期89-92,共4页吴唯 周勇 刘尚军 刘万清 张靖 
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术生长了InAs量子点及不同组分和厚度的量子点低温盖层,采用光致荧光光谱(PL)和时间分辨荧光发射谱(TRPL)研究了量子点在不同低温盖层下的荧光发光性质。对比了常规方法和速率调制外延(FME)法生长G...
关键词:INAS量子点 量子点低温盖层 光致荧光谱 时间分辨谱 速率调制外延 
大应变InGaAs/GaAs/AlGaAs微带超晶格中波红外QWIP的MOCVD生长被引量:3
《半导体光电》2013年第2期221-225,共5页周勇 孙迎波 周勋 刘万清 杨晓波 
基于中波红外(峰值响应波长4.5μm)量子阱红外探测器QWIP进行了大应变In0.34Ga0.66As/GaAs/Al0.35Ga0.65As微带超晶格结构的MOCVD外延生长研究。通过对生长温度、生长速率、Ⅴ/Ⅲ比以及界面生长中断时间等生长参数的系统优化,获得了高...
关键词:InGaAs GaAs 大应变 微带超晶格结构 量子阱红外探测器 MOCVD 
失配异质结构InGaAs/InP的MOCVD生长
《半导体光电》2012年第6期817-821,共5页周勇 赵志强 周勋 刘万清 莫才平 
基于延展波长(截止波长2.2μm)InGaAs-PIN光电探测器进行了失配异质结构InxGa1-xAs(x=0.72)/InP的MOCVD外延生长研究。采用宽带隙组分梯度渐变的InAlAs作为缓冲层和顶层,通过生长优化,获得了满足器件要求的外延材料。
关键词:INGAAS 失配异质结构 MOCVD 梯度渐变InAlAs缓冲层 
GaAs基Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池技术研究进展被引量:8
《半导体光电》2009年第5期639-646,652,共9页周勋 罗木昌 赵红 周勇 刘万清 邹泽亚 
GaAs太阳电池由于其性能优越,成为了光伏领域的发展重点。简单介绍了GaAs基Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池的应用和研究进展,并对其发展趋势进行了展望。
关键词:GAAS Ⅲ-Ⅴ族 多结太阳电池 光伏技术 
蓝宝石衬底上AlGaN外延材料的低压MOCVD生长
《半导体光电》2007年第6期800-803,共4页赵红 邹泽亚 赵文伯 杨晓波 刘挺 廖秀英 王振 周勇 刘万清 
采用低温AlN成核层在1180℃温度下在(0001)蓝宝石衬底上用低压MOCVD设备生长了AlGaN外延层。Al组分高达0.6、厚度大于1μm的AlGaN外延层表面光亮,晶体质量较好,(0002)X射线衍射回摆曲线半峰宽FWHM为853弧秒。当反应室气压从5×103Pa降到...
关键词:MOCVD ALGAN 低温核化层 
蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长被引量:5
《Journal of Semiconductors》2007年第10期1568-1573,共6页赵红 邹泽亚 赵文伯 刘挺 杨晓波 廖秀英 王振 周勇 刘万清 
在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度为0.44nm,X射线衍射(0002)回摆曲线FWHM为166″.实...
关键词:MOCVD ALN 极性 原子级光滑 
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