大应变InGaAs/GaAs/AlGaAs微带超晶格中波红外QWIP的MOCVD生长  

Growth of Highly Strained InGaAs/GaAs/AlGaAs Mini-band Supper-lattices for Middle Wavelength Infrared QWIP Detectors

作　　者：周勇[1] 孙迎波[1] 周勋[1] 刘万清[1] 杨晓波[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《半导体光电》2013年第2期221-225,共5页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：基于中波红外(峰值响应波长4.5μm)量子阱红外探测器QWIP进行了大应变In0.34Ga0.66As/GaAs/Al0.35Ga0.65As微带超晶格结构的MOCVD外延生长研究。通过对生长温度、生长速率、Ⅴ/Ⅲ比以及界面生长中断时间等生长参数的系统优化,获得了高质量的外延材料。Presented was the successful epitaxial growth of highly strained In0.34 Ga0.66 As/ GaAs/Al0.35 Ga0.65 As mini-band supper-lattices for middle wavelength infrared quantum well infrared photodetector （QWIP） by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition （MOCVD）. By optimization of the growth parameters such as temperature, growth rate, Ⅴ/Ⅲ ratio, and interruption time of interface, excellent crystal quality of epitaxial materials was attained.

关 键 词：InGaAs GaAs 大应变 微带超晶格结构 量子阱红外探测器 MOCVD 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]