孙迎波

作品数：4被引量：8H指数：2
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供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
发文主题：金属化耦合封装MOSFETMOCVD生长INGAAS/GAAS/ALGAASQWIP更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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微型化大电流脉冲激光器驱动电路研究被引量：3
《半导体光电》2014年第5期912-915,923,共5页熊煜 孙迎波 刘刚明 欧翔 郭洪 
设计了一种用于与激光二极管芯片进行集成的基于MOSFE场效应管的大电流脉冲驱动电路方案,计算了限流电阻对驱动电路中储能电容性能的影响,分析了MOSFET场效应管峰值驱动电流与开通时间的估算公式,通过仿真软件研究了激光器的寄生电感对...
关键词：激光器 驱动电路 MOSFET 微型化 脉冲 
850nm微型化封装超辐射发光二极管模块被引量：1
《半导体光电》2014年第3期418-421,共4页孙迎波 陈广聪 杨璠 郭洪 钟正英 
研制了一种微型6针卧式结构的850nm超辐射发光二极管（SLD）模块,该模块采用激光焊接方式实现全金属化耦合封装,通过对模块结构的优化设计,使模块体积缩小为标准8针蝶形封装体积的一半。该模块在100mA工作电流下,尾纤输出功率大于1.5mW...
关键词：微型光纤陀螺 超辐射发光二极管(SLD) 微型化封装 
大应变InGaAs/GaAs/AlGaAs微带超晶格中波红外QWIP的MOCVD生长被引量：3
《半导体光电》2013年第2期221-225,共5页周勇 孙迎波 周勋 刘万清 杨晓波 
基于中波红外(峰值响应波长4.5μm)量子阱红外探测器QWIP进行了大应变In0.34Ga0.66As/GaAs/Al0.35Ga0.65As微带超晶格结构的MOCVD外延生长研究。通过对生长温度、生长速率、Ⅴ/Ⅲ比以及界面生长中断时间等生长参数的系统优化,获得了高...
关键词：InGaAs GaAs 大应变 微带超晶格结构 量子阱红外探测器 MOCVD 
全金属化耦合封装的大功率半导体激光器模块被引量：1
《半导体光电》2011年第5期625-628,共4页郭洪 杨璠 孙迎波 
大功率半导体激光器模块对耦合封装工艺要求较高,耦合封装工艺直接影响模块的可靠性。采用金属化楔形微透镜光纤与大功率半导体激光器对准耦合,耦合效率达到87%;采用激光焊接定位的方式对大功率半导体激光器与楔形微透镜光纤进行耦合固...
关键词：金属化耦合封装 半导体激光器 楔形微透镜光纤 耦合 
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