金属化耦合封装

作品数：4被引量：1H指数：1
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全金属化耦合封装的大功率半导体激光器模块被引量：1
《半导体光电》2011年第5期625-628,共4页郭洪 杨璠 孙迎波 
大功率半导体激光器模块对耦合封装工艺要求较高,耦合封装工艺直接影响模块的可靠性。采用金属化楔形微透镜光纤与大功率半导体激光器对准耦合,耦合效率达到87%;采用激光焊接定位的方式对大功率半导体激光器与楔形微透镜光纤进行耦合固...
关键词：金属化耦合封装 半导体激光器 楔形微透镜光纤 耦合 
双电流限制结构的1.55μm单模全金属化耦合封装激光二极管
《半导体光电》1992年第1期44-50,共7页罗恩银 杨正淮 赵新民 
叙述了具有双电流限制结构的1.55μm InGaAsP/InP 隐埋新月形激光器的制造工艺和主要特性。在室温 CW 工作条件下,该激光二极管的最低阈值电流为20mA,典型值为30mA。可在2～3倍阈值电流下获得稳定的基横模输出。在室温 CW 工作下,管芯...
关键词：激光二极管 全金属化耦合 封装 
1.3μm InGaAsP/InP全金属化耦合封装侧面发光二极管
《半导体光电》1991年第2期128-132,共5页朱志文 李金良 计敏 伍锋 邓履清 杨璠 
本文报导1.3μm InGaAsP/InP内条限制部分注入全金属化耦合封装侧面发光二极管的结构、制作及器件特性。在100mA工作电流下,器件尾纤出纤功率典型值40μW,最大超过60μW,光谱宽度70nm,上升/下降时间小于2.5ns。该器件是中短距离,中小容...
关键词：光纤通信 发光二极管 金属化 封装 
半导体光源器件的金属化耦合封装
《光通信研究》1990年第4期40-47,共8页杜普君 郑云生 邱向东 杨仲琪 樊承钧 
本文介绍长波长光源器件的金属化耦合封装工艺,并通过工艺试验和生产实践,对采用新工艺制作的产品进行了可靠性考核,其结果表明这种工艺是成功的。尤其是采用YAG激光焊接技术,较好的解决了光纤定位工艺。
关键词：半导体 光源器件 金属化 耦合封装 
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