罗恩银

作品数：4被引量：1H指数：1
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发文主题：液相外延生长液相外延GAAS太阳电池INGAASP/INP非平面更多>>
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高铝含量Al_xGa_(1-x)As/GaAs太阳电池的多片液相外延生长
《半导体光电》1993年第2期167-171,共5页罗恩银 
介绍了高铝含量和 Mg 掺杂的 Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs 太阳电池的多片液相外延(LPE)生长技术,分析了 Ga_(1-x)Al_xAs 生长熔体中 GaAs 的熔解度,载流子浓度与 Mg 含量及 x 值与铝组分的关系。用多片石墨舟液相外延生长的、具有高铝含量(x=0...
关键词：太阳电池 液相外延 GAALAS/GAAS 
我国GaAs太阳电池的发展概况
《半导体光电》1992年第3期219-222,共4页罗恩银 
本文介绍近几年来我国 GaAs 太阳电池的发展概况,并对其将来的发展做了一些预测。
关键词：半导体器件 太阳能电池 光伏电池 
双电流限制结构的1.55μm单模全金属化耦合封装激光二极管
《半导体光电》1992年第1期44-50,共7页罗恩银 杨正淮 赵新民 
叙述了具有双电流限制结构的1.55μm InGaAsP/InP 隐埋新月形激光器的制造工艺和主要特性。在室温 CW 工作条件下,该激光二极管的最低阈值电流为20mA,典型值为30mA。可在2～3倍阈值电流下获得稳定的基横模输出。在室温 CW 工作下,管芯...
关键词：激光二极管 全金属化耦合 封装 
InGaAsP/InP激光器非平面液相外延生长的研究被引量：1
《半导体光电》1990年第4期329-332,共4页罗恩银 赵新民 蔡开清 
本文叙述了用于制作 InGaAsP/InP 半导体激光器的非平面液相外延工艺。讨论了各种因素对非平面液相外延生长的影响。在 InP 衬底上和刻有沟槽的 InGa-AsP/InP 外延片上成功地生长出了高质量外延层。用该外延片制作的激光器在室温连续工...
关键词：INGAASP/INP 激光器 液相外延 晶体 
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