朱志文

作品数：8被引量：15H指数：2
导出分析报告
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
发文主题：光纤陀螺超辐射发光二极管组件发光二极管INGAASP/INP更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体光电》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-8
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
1.55 μm InGaAsP/InP超辐射发光二极管组件被引量：1
《半导体光电》2002年第4期247-249,共3页李金良 朱志文 
1 .5 5 μmInGaAsP/InP超辐射发光二极管组件是为高精度光纤陀螺研制的光源。组件采用标准 14针双列直插式管壳 ,熊猫型保偏光纤对准耦合 ,激光焊接 ,全金属化耦合封装。为了获得高输出功率 ,宽发射光谱 ,抑制受激振荡 ,采用了倾斜条形...
关键词：光纤陀螺 光源 超辐射发光二极管 
1.3 μm InGaAsP低电流超辐射发光二极管组件被引量：8
《半导体光电》2001年第5期343-346,350,共5页李金良 朱志文 
设计并制作了用于高精度光纤陀螺的 1.3μm低电流超辐射发光二极管组件。采用隐埋异质结结构 ,实现了良好的电流限制和光限制 ,同时采用长腔结构来提高器件单程增益 ,从而获得了高的输出功率。组件具有工作电流小、输出功率高 ,以及光...
关键词：超辐射发光二极管 光纤陀螺 INGAASP 组件 
1．3μmInGaAsP／InPLD，SLD和LED的介质镀膜被引量：4
《半导体光电》1995年第2期163-170,共8页罗江财 朱志文 王剑格 唐祖荣 
电科院资助
简要叙述了介质镀膜对半导体激光器性能的影响。在１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器（ＬＤ）、超辐射发光二极管（ＳＬＤ）和发光二极管（ＬＥＤ）上进行了大量的Ａｌ２Ｏ３和ＺｒＯ２减反射膜的工艺研究。结果表明，该减反射膜...
关键词：半导体激光器 发光二极管 减反射膜 真空淀积 
1.3μm波长超辐射发光二极管组件被引量：2
《半导体光电》1995年第1期57-62,共6页朱志文 蔡开清 杨璠 计敏 易向阳 唐祖荣 陈其道 罗江财 
电科院基金
光纤陀螺用关键器件之一是超辐射发光二极管（ＳＬＤ）。采用ＳＬＤ作为光源，光纤陀螺可达到高精度、高灵敏度、高稳定性、低噪声的目的。ＳＬＤ是一种以内部单程增益为特征的光发射器件。表征器件性能的主要技术参数指标是输出功率和...
关键词：发光二极管 传感器 光纤陀螺 半导体器件 
光纤陀螺用光源——超辐射发光二级管被引量：1
《半导体光电》1993年第2期121-126,共6页朱志文 
光纤陀螺用光源要求输出功率高、相干性低、稳定性好。超辐射发光二极管(SLD)是能满足这些要求的理想光源。本文介绍制作超辐射发光二极管的工作原理,制作技术难点,研究现状和今后的发展趋势。
关键词：光纤陀螺 半导体器件 发光二极管 
1.51μm InGaAsP/InP DC-PBH分布反馈激光器
《半导体光电》1992年第2期118-119,129,共3页蔡开清 朱志文 王品红 易向阳 
报道了1.51μm 波长 InGaAsP/InP DC-PBH 分布反馈激光器组件的结构、制作工艺和主要性能参数。
关键词：相干光通信 半导体 激光器 
光栅衬底液相外延技术
《半导体光电》1992年第2期126-129,共4页朱志文 
光栅衬底液相外延是分布反馈激光器研制的关键技术之一。利用 Sn-In-p 和 GaAs 单晶作为光栅衬底表面的高温热保护盖片,有效地解决了光栅表面高温热损伤问题,在光栅表面重复地生长出了高质量的外延层,并以此为基础,研制出了DFB 激光器。
关键词：相干光通信 半导体激光器 液相外延 
1.3μm InGaAsP/InP全金属化耦合封装侧面发光二极管
《半导体光电》1991年第2期128-132,共5页朱志文 李金良 计敏 伍锋 邓履清 杨璠 
本文报导1.3μm InGaAsP/InP内条限制部分注入全金属化耦合封装侧面发光二极管的结构、制作及器件特性。在100mA工作电流下,器件尾纤出纤功率典型值40μW,最大超过60μW,光谱宽度70nm,上升/下降时间小于2.5ns。该器件是中短距离,中小容...
关键词：光纤通信 发光二极管 金属化 封装 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部