罗江财

作品数：22被引量：16H指数：2
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供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
发文主题：载流子浓度减反射膜发光二极管半导体薄膜激光器更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>
发文期刊：《微电子学》《功能材料》《四川真空》《现代科学仪器》更多>>
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光电材料的俄歇电子谱分析被引量：1
《半导体光电》2000年第A03期84-86,共3页尹燕萍 罗江财 杨晓波 何伟全 
俄歇电子能谱 (AES)是测定固体表面元素组分的分析技术。由于AES具有很高的空间分辨率和表面灵敏度 ,并可以通过离子束溅射刻蚀获得组分深度剖面分布 ,所以它在各种材料 ,特别是微电子材料、光电子材料和纳米薄膜材料的分析中应用广泛。
关键词：俄歇电子能谱 定性分析 光电材料 
用X射线衍射仪测试PtSi膜
《半导体光电》2000年第A03期87-88,共2页杨晓波 罗江财 
PhilipsMRD3710X射线衍射仪由于其灵敏度高、可靠性好、操作方便 ,常常用于薄膜测试分析。采用X射线衍射仪对在 (10 0 )Si表面溅射Pt,并通过退火处理形成的Pt和Si的化合物进行了测试分析 ,从而对PtSi膜的研制提供了可靠的数据。
关键词：X射线衍射仪 PTSI 薄膜 测试 
半导体光电薄膜的分析和检测
《半导体光电》2000年第A03期81-83,共3页罗江财 
半导体光电薄膜的制备 ,是半导体光电器件最重要和最基本的工艺过程。半导体光电薄膜的分析和检测是器件开发中必须首先要解决的重要问题之一。文章介绍了半导体光电薄膜的分析和检测以及分析技术和仪器设备的发展现状。
关键词：半导体薄膜 检测 光电薄膜 
大功率AlGaAs—GaAs激光器干涉镜和减反射膜的制备
《四川真空》1999年第1期34-37,共4页罗江财 王静波 
分别用磁控溅射和电子束蒸发技术，在大功率ＡｌＧａＡ３－ＧａＡ３激光器条端面上，制作了ＳｉＯ２／Ｓｉ干涉镜和Ａｌ２Ｏ３减反射膜。讨论了Ｓｉ靶反应磁控溅射下，氧化硅层的沉积速率和影响镀层质量的因素。
关键词：大功率 激光器 干涉镜 减反射镜膜 铝镓砷 
量子点结构和量子点激光器
《半导体光电》1998年第6期351-353,共3页罗江财 
简述了量子点结构和量子点激光器的目前发展情况，例举了量子点激光器的典型应用。阐述了对晶格失配系统，外延生长量子点的最佳方法是应用Ｓ－Ｋ机理的自组织生长。
关键词：激光器 量子点激光器 自组织生长 量子点结构 
用5晶（7晶）X射线衍线仪研究半导体薄膜材料被引量：1
《半导体光电》1996年第4期374-379,共6页罗江财 杨晓波 
５晶（７晶）Ｘ射线衍射仪非常适合于高级半导体单晶，特别是Ⅲ－Ⅴ族和Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体及其异质外延层的特性分析。本文将简单地介绍５晶（７晶）Ｘ射线衍射仪，以及在半导体薄膜研究中的结果。
关键词：半导体薄膜 5晶X射线衍射 回摆曲线 
1．3μmInGaAsP／InPLD，SLD和LED的介质镀膜被引量：4
《半导体光电》1995年第2期163-170,共8页罗江财 朱志文 王剑格 唐祖荣 
电科院资助
简要叙述了介质镀膜对半导体激光器性能的影响。在１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器（ＬＤ）、超辐射发光二极管（ＳＬＤ）和发光二极管（ＬＥＤ）上进行了大量的Ａｌ２Ｏ３和ＺｒＯ２减反射膜的工艺研究。结果表明，该减反射膜...
关键词：半导体激光器 发光二极管 减反射膜 真空淀积 
1.3μm波长超辐射发光二极管组件被引量：2
《半导体光电》1995年第1期57-62,共6页朱志文 蔡开清 杨璠 计敏 易向阳 唐祖荣 陈其道 罗江财 
电科院基金
光纤陀螺用关键器件之一是超辐射发光二极管（ＳＬＤ）。采用ＳＬＤ作为光源，光纤陀螺可达到高精度、高灵敏度、高稳定性、低噪声的目的。ＳＬＤ是一种以内部单程增益为特征的光发射器件。表征器件性能的主要技术参数指标是输出功率和...
关键词：发光二极管 传感器 光纤陀螺 半导体器件 
半导体材料的霍耳测量被引量：2
《半导体光电》1994年第4期381-384,共4页罗江财 
利用霍耳效应研究半导体材料的电阻率，载流子浓度和迁移率是霍耳测量的主要技术之一。文章简单介绍了ＨＬ５５００霍耳测量系统；列举了用该霍耳系统测量的各种半导体材料，特别是高阻和高迁移率材料的结果，并讨论了有关的干扰问题。
关键词：霍耳测量 半导体材料 电阻率 载流子浓度 迁移率 
LiNbO_3衬底上电子束蒸发集成光学钛薄膜
《半导体光电》1994年第2期163-166,174,共5页罗江财 王剑格 
钛扩散铌酸锂（Ｔｉ－ＬｉＮｂＯ３）光波导是最基本的集成光学器件之一。文章报道了在ＬｉＮｂＯ３衬底上，用自动电子束蒸发技术淀积Ｔｉ薄膜。对各种淀积条件下的结果测试分析表明：用０．５～１．１ｎｍ／ｓ的淀积速率和２．７×１...
关键词：集成光学器件 电子束蒸发 钛 薄膜 
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