赵志强

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失配异质结构InGaAs/InP的MOCVD生长
《半导体光电》2012年第6期817-821,共5页周勇 赵志强 周勋 刘万清 莫才平 
基于延展波长(截止波长2.2μm)InGaAs-PIN光电探测器进行了失配异质结构InxGa1-xAs(x=0.72)/InP的MOCVD外延生长研究。采用宽带隙组分梯度渐变的InAlAs作为缓冲层和顶层,通过生长优化,获得了满足器件要求的外延材料。
关键词：INGAAS 失配异质结构 MOCVD 梯度渐变InAlAs缓冲层 
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