失配异质结构InGaAs/InP的MOCVD生长  

MOCVD Epitaxial Growth of Mismatched Heterostructure InGaAs/InP

作　　者：周勇[1] 赵志强[2] 周勋[1] 刘万清[1] 莫才平[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆400060 [2]重庆邮电大学生物医学工程研究中心,重庆400066

出　　处：《半导体光电》2012年第6期817-821,共5页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：基于延展波长(截止波长2.2μm)InGaAs-PIN光电探测器进行了失配异质结构InxGa1-xAs(x=0.72)/InP的MOCVD外延生长研究。采用宽带隙组分梯度渐变的InAlAs作为缓冲层和顶层,通过生长优化,获得了满足器件要求的外延材料。Studied is the MOCVD epitaxial growth of the lattice-mismatched heterostructure InGaAs films on InP substrate with In fraction reaching 72%.Using step grading InAlAs as buffer layers and cap layer,the epitaxial materials which meet the practial requirements were attained by optimizing the growth conditions.

关 键 词：INGAAS 失配异质结构 MOCVD 梯度渐变InAlAs缓冲层 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]