云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 王海丽

王海丽: 作品数：1被引量：2H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：郑州大学物理工程学院更多>>; 发文主题：INGAAS/INALASINALAS高电子迁移率晶体管空位缺陷质子辐照更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《西安电子科技大学学报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金更多>>

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InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱质子辐照损伤机理被引量：2: 《西安电子科技大学学报》2017年第4期151-155,161,共6页王海丽吉慧芳孙树祥丁芃金智魏志超钟英辉李玉晓; 国家自然科学基金资助项目(61404115,61434006,11475256); 对InP基高电子迁移率场效晶体管关键的InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱结构质子辐照损伤机理进行了研究.基于SRIM软件计算了50keV、75keV和200keV质子在量子阱中的投影射程和诱生空位缺陷信息.随着质子能量增加,质子注入深度逐渐增加并最终...; 关键词：高电子迁移率晶体管质子辐照空位缺陷非电离能量损失