夹断电压

作品数：27被引量：9H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张波乔明何逸涛于亮亮张康更多>>
相关机构：上海华虹宏力半导体制造有限公司电子科技大学无锡华润上华科技有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司更多>>
相关期刊：《集成电路应用》《微纳电子技术》《中学物理教学参考》《固体电子学研究与进展》更多>>
相关基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金国防科技技术预先研究基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种基于PJFET的低温漂基准设计方法
《环境技术》2021年第S01期115-117,140,共4页朱哲序 徐青 梁盛铭 税国华 罗焰娇 
本文介绍了一种基于PJFET技术的电压基准源设计方法。该方法利用PJFET夹断电压的温度特性产生负温漂电压,在此基础上叠加一个正温漂电压进行温度补偿,产生低温漂基准电压。根据文中的理论方法,基于1.5μm 32 V双极工艺设计了一款输出5 ...
关键词：电压基准源 PJFET 低温漂 夹断电压 
超高压JFET器件电参数的合理实现
《集成电路应用》2020年第9期188-191,共4页方绍明 
基于高性价比的10层masks UHVBCD工艺平台,对UHVJFET电参数机理进行分析,并做出实验数据总结,可作为半导体工艺器件研发人员的参考资料。依靠Double Resurf原理实现高击穿电压BVd。Combined结构的JFET漏极击穿电压BVd取决于与其并联的UH...
关键词：电子器件 超高压JFET BCD工艺 击穿电压 夹断电压 
一种250V高动态阻抗恒流器件优化设计
《电子与封装》2020年第6期48-53,共6页孟培培 乔明 
设计了一种250 V高动态阻抗恒流器件,通过在外延层中刻蚀填充氧化槽,形成体内横向沟道结构,提升恒流器件动态阻抗,使器件具有优异的恒流特性。利用MEDICI仿真软件对器件的外延层厚度和浓度、氧化槽深度、调沟注入剂量及栅氧厚度等参数...
关键词：恒流器件 击穿电压 夹断电压 动态阻抗 LED驱动 
一种200V垂直型恒流二极管的优化设计被引量：3
《微电子学》2016年第6期822-825,共4页梁涛 张康 何逸涛 乔明 张波 
国家自然科学基金资助项目(61376080);广东省自然科学基金资助项目(2014A030313736)
恒流二极管具有很高的动态阻抗、很好的恒流性能以及负温度特性,被广泛应用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中。设计了一种200V垂直耗尽型恒流二极管,对其电学参数进行了仿真,优化了外延厚度与浓度、沟道浓度、JFET区...
关键词：恒流二极管 恒流特性 击穿电压 夹断电压 
对电容器带电量Q和电压U关系实验的思考和改进被引量：1
《中学物理教学参考》2016年第3X期95-95,共1页梁辉根 董炳土 
人教版高中《物理》选修3—1第1章第8节'电容器电容'中定义了电容,即电容器极板的带电量Q与两极板的电压U的比值,定义概念前只用了'实验表明',却并未给出具体的演示实验,而本节课后'做一做'给出了'用电流传感器观察电容器的放电过程',如...
关键词：带电量 放电过程 电流传感器 做一做 电荷量 时间变化 《物理》 人教版 夹断电压 场效应管 
夹断电压可调的高压结型场效应管
《固体电子学研究与进展》2014年第1期75-80,共6页聂卫东 朱光荣 易法友 于宗光 
江苏省333工程科研项目(BRA2011112)
基于Double RESURF 700VBCD工艺平台,提出了一种夹断电压可调的高压结性场效应管(J-FET)。这种J-FET的夹断是通过栅源反偏引起的N阱(N-well)表面耗尽和衬源反偏引起的底部耗尽共同作用结果,故夹断电压可受J-FET的栅电位调制。同时通过...
关键词：高压结型场效应管 夹断电压可调 P型埋层变掺杂 双重降低表面电场 
Analytical Model for GaAs MESFET with High Pinchoff Voltage
《材料科学与工程（中英文A版）》2013年第12期853-858,共6页Chahrazed Kaddour Cherifa Azizi Saade Edine Khemissi Mourad Zaabat Yasemina Saidi 
关键词：MESFET器件 夹断电压 GAAS 金属半导体场效应晶体管 解析模型 移动特性 电子电路 静态模型 
半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第1期72-77,共6页徐岳生 付生辉 刘彩池 王海云 魏欣 郝景臣 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 0 9);中国人民解放军总装备部预研资金 (批准号 :0 0JS0 2.2.1QT45 0 1);河北省自然科学基金 (批准号 :5 990 3 3 )资助项目~~
研究了LEC法生长SI GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能 (跨导、饱和漏电流、夹断电压 )的影响 .用AB腐蚀液显示AB微缺陷 (AB EPD :10 3 ～ 10 4cm-2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (EPD :10 4cm-2 量级 ) ,发现衬底上的AB微缺...
关键词：LEC SI-GAAS 位错 AB-EPD 跨导 饱和漏电流 夹断电压 
结型场效应晶体管测试仪
《家庭电子》2004年第7期13-13,共1页杨兵 
设计电路时，每当需要很高的输入阻抗、高工作频率和相对较低的噪声时，结型场效应晶体管便成为最佳选择。本文描述了一个简单的测试仪，它能够测量结型场效应晶体管的两价目主要参数。
关键词：结型场效应晶体管 测试仪 电路图 夹断电压 饱和漏电电流 
场效应管夹断电压的作用及测试
《新乡师范高等专科学校学报》2004年第2期19-21,共3页陈廷侠 
根据夹断电压能确定可变电阻区与饱和区的分界点，使场效应管可靠地工作在饱和区的原理。研究了夹断电压的测试问题，介绍了测试场效应管夹断电压的方法，进而找出预夹断电压，由此即可确定场效应管的饱和区。
关键词：场效应管 夹断电压 预夹断点 饱和区 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部