梁涛

作品数：4被引量：4H指数：1
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供职机构：四川长虹电器股份有限公司更多>>
发文主题：击穿电压比导通电阻垂直型恒流二极管夹断电压更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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所获基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
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一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件
《微电子学》2017年第2期247-249,267,共4页黄勇 李阳 周锌 梁涛 乔明 张波 
国家自然科学基金资助项目(61376080)
针对传统高压功率器件的击穿电压与比导通电阻始终相互矛盾的问题,提出了一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件。该结构在漂移区的上方引入多个电极,每个电极偏置在不同的电位,器件正常工作时的电子电流聚集于漂移区表面,提供了一个...
关键词：击穿电压 比导通电阻 多电极 
降低多输出通道功率芯片电磁辐射的设计
《微电子学》2017年第1期10-13,共4页黄勇 李阳 周锌 梁涛 乔明 张波 
国家核高基基金资助项目(2009ZX01033-001-012);国家自然科学基金资助项目(61376080)
介绍了一种可降低多通道输出功率芯片电磁辐射的设计方法。该功率芯片具有96个独立的输出通道,对芯片的高压总供电和单路输出通道的驱动模式进行研究。将实际测试的电磁辐射从原有的47dB·μV/m降低到36.8dB·μV/m,特别是在低于50MHz...
关键词：LIGBT 功率芯片 电磁辐射 CISPR标准 多通道输出 
一种具有部分高k介质埋层的SOI场pLDMOS器件被引量：1
《微电子学》2017年第1期114-117,共4页梁涛 杨文 何逸涛 陈钢 乔明 张波 
国家自然科学基金资助项目(61376080);广东省自然科学基金资助项目(2014A030313736)
提出了一种具有部分高k介质埋层的SOI场pLDMOS器件。将传统结构的部分埋氧层替换为介电常数更高的Si_3N_4,降低了漂移区的积累层电阻,使器件获得更低的比导通电阻,同时减弱了自热效应。与传统结构进行仿真对比,发现新结构基本保持了与...
关键词：部分高k 比导通电阻 击穿电压 自热效应 场pLDMOS 
一种200V垂直型恒流二极管的优化设计被引量：3
《微电子学》2016年第6期822-825,共4页梁涛 张康 何逸涛 乔明 张波 
国家自然科学基金资助项目(61376080);广东省自然科学基金资助项目(2014A030313736)
恒流二极管具有很高的动态阻抗、很好的恒流性能以及负温度特性,被广泛应用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中。设计了一种200V垂直耗尽型恒流二极管,对其电学参数进行了仿真,优化了外延厚度与浓度、沟道浓度、JFET区...
关键词：恒流二极管 恒流特性 击穿电压 夹断电压 
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