郝景臣

作品数：4被引量：9H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
发文主题：SI-GAAS半绝缘砷化镓单晶位错跨导晶体缺陷更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《稀有金属》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
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半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第1期72-77,共6页徐岳生 付生辉 刘彩池 王海云 魏欣 郝景臣 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 0 9);中国人民解放军总装备部预研资金 (批准号 :0 0JS0 2.2.1QT45 0 1);河北省自然科学基金 (批准号 :5 990 3 3 )资助项目~~
研究了LEC法生长SI GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能 (跨导、饱和漏电流、夹断电压 )的影响 .用AB腐蚀液显示AB微缺陷 (AB EPD :10 3 ～ 10 4cm-2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (EPD :10 4cm-2 量级 ) ,发现衬底上的AB微缺...
关键词：LEC SI-GAAS 位错 AB-EPD 跨导 饱和漏电流 夹断电压 
LEC SI-Ga As中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响
《稀有金属》2004年第3期540-543,共4页徐岳生 付生辉 刘彩池 王海云 魏欣 郝景臣 
国家自然科学基金 ( 60 2 760 0 9) ;中国人民解放军总装备部 ( 0 0JS0 2 .2 .1QT45 0 1);省自然科学基金 ( 5 990 3 3 )资助项目
用AB腐蚀液对SI GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB EPD :10 3～ 10 4 cm- 2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (位错密度EPD :10 4cm- 2 量级 ) ,发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响 ,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性...
关键词：LEC SI-GAAS AB-EPD 跨导 衬底 位错 PL mapping 临界值 
用x射线形貌研究半绝缘砷化镓单晶胞状结构被引量：3
《物理学报》2004年第2期651-655,共5页徐岳生 唐蕾 王海云 刘彩池 郝景臣 
国家自然科学基金 (批准号 :5 9972 0 0 7);中国人民解放军总装备部 (批准号 :0 0J5 0 2;2 .1.QT45 0 1);科技部攀登计划 (批准号 :2 0 0 0J5 0 4);河北省自然科学基金 (批准号 :5 990 3 3 )资助的课题~~
通过x射线异常透射形貌 (XRT) ,化学腐蚀显微观察和电子显微技术 (TEM)研究了液封直拉 (LEC)法生长的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中蜂窝状胞状结构 ,从晶体生长和冷却过程的热应力、弹性形变引起位错的运动和反应考虑 ,分析了该结构的...
关键词：胞状结构 小角度晶界 电子显微技术 砷化镓晶体 半导体材料 X射线衍射分析 液封直拉法 半绝缘砷化镓 位错 
半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷被引量：6
《Journal of Semiconductors》2003年第7期718-722,共5页徐岳生 张春玲 刘彩池 唐蕾 王海云 郝景臣 
国家自然科学基金 (批准号 :5 9972 0 0 7);中国人民解放军总装备部资助项目 (Nos.0 0 J5 0 2 ;2 .1.QT45 0 1);科技部攀登计划 (No.2 0 0 0 J5 0 4);河北省自然科学基金 (No.5 990 3 3 )资助项目~~
通过化学腐蚀、金相显微观察、透射电子显微镜、扫描电镜和 X射线异常透射形貌等技术 ,研究了半绝缘砷化镓单晶中的位错和微缺陷 .实验发现用常规液封直拉法制备出的直径大于或等于 75 mm的半绝缘砷化镓单晶在晶体周边区域 ,一般都有由...
关键词：SI-GAAS 微缺陷 位错 
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