MESFET器件

作品数：10被引量：2H指数：1
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相关期刊：《Journal of Semiconductors》《上海微电子技术和应用》《西北大学学报（自然科学版）》《电子设计工程》更多>>
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Analytical Model for GaAs MESFET with High Pinchoff Voltage
《材料科学与工程（中英文A版）》2013年第12期853-858,共6页Chahrazed Kaddour Cherifa Azizi Saade Edine Khemissi Mourad Zaabat Yasemina Saidi 
关键词：MESFET器件 夹断电压 GAAS 金属半导体场效应晶体管 解析模型 移动特性 电子电路 静态模型 
科锐推出S波段GaN器件,实现雷达应用的效率最大化
《电子设计工程》2012年第15期105-105,共1页
科锐公司宣布推出可适用于军用和商用S渡段雷达中的高效GaNHEMT晶体管。新型S波段GaNHEMT晶体管的额定功率为60W，频率为3．1—3．5GHz之间，与传统Si或GaAsMESFET器件相比，能够提供优越的漏极效率（接近70％）。同时，高效率和高功率...
关键词：MESFET器件 雷达应用 S波段 GaN 最大化 高功率密度 额定功率 GaAs 
4H-SiC MESFET器件的制备与性能
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期385-387,共3页宁瑾 张杨 刘忠立 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60406010)
在半绝缘4H-SiC衬底上成功制备出MESFET器件,并完成直流特性测试和交流小信号特性测试工作.共制备出3种结构尺寸的MESFET器件,其栅长栅宽分别为0.5μm/80μm,0.7μm/80μm和2μm/2mm,其中0.5μm/80/μm的MESFET器件的漏极电流密度最高,...
关键词：4H-SIC MESFET S参数 直流测试 
半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第1期72-77,共6页徐岳生 付生辉 刘彩池 王海云 魏欣 郝景臣 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 0 9);中国人民解放军总装备部预研资金 (批准号 :0 0JS0 2.2.1QT45 0 1);河北省自然科学基金 (批准号 :5 990 3 3 )资助项目~~
研究了LEC法生长SI GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能 (跨导、饱和漏电流、夹断电压 )的影响 .用AB腐蚀液显示AB微缺陷 (AB EPD :10 3 ～ 10 4cm-2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (EPD :10 4cm-2 量级 ) ,发现衬底上的AB微缺...
关键词：LEC SI-GAAS 位错 AB-EPD 跨导 饱和漏电流 夹断电压 
多台阶介质槽隔离的SiCOI MESFET器件
《Journal of Semiconductors》2004年第1期73-76,共4页龚欣 张进城 郝跃 
国家重点基础研究发展规划资助项目 ( No.2 0 0 2 CB3 1190 4)~~
用二维器件仿真软件 MEDICI对 Si COI(Si C on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究 ,提出了一种新的 Si COI MESFET器件介质槽隔离结构 ,即多台阶介质槽隔离结构 .研究结果表明 ,与单介质槽隔离 Si COI MES-FET相比 ,多台阶结构在...
关键词：SICOI MESFET 多台阶介质槽隔离 击穿电压 
SiC-MESFET器件的夹断电压
《西北大学学报（自然科学版）》2003年第1期26-28,共3页王守国 张义门 张玉明 张志勇 阎军锋 
国防预研基金资助项目(No.8.1.7.3)
考虑空间电荷区杂质的非完全离化、SiC表面的界面态和反向漏电流等因素的影响,给出了较为精确的计算SiC-MESFET器件夹断电压的方法,计算的结果和实验值符合较好。
关键词：SiC—MESFET器件 夹断电压 碳化硅 界面态 反向漏电流 非完全离化 
GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究
《厦门大学学报（自然科学版）》2002年第6期759-763,共5页陈小红 陈松岩 张玉清 林爱清 陈丽容 邓彩玲 
国家自然科学基金 (6 0 0 0 6 0 0 4);福建省自然科学基金 (A0 110 0 0 6 )资助项目
用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料 ,并对材料进行Raman、光致发光 (PL)谱的测试分析 ,结果表明在GaAs InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移 ;PL谱峰较强 ,16K下测到GaAs的特征激...
关键词：MESFET器件 GaAs/InP异质材料 光致发光谱 RAMAN谱 金属-半导体场效应晶体管 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料 
半绝缘砷化镓及其MESFET器件光敏特性研究
《半导体情报》2000年第4期41-43,共3页郭小兵 周智慧 胡恺生 张绵 
用波长范围为 70 0～ 3 5 0 0 nm的光电流测试系统研究了 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中的深能级。结果显示在 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中存在着相似的深能级 ,衬底的深能级影响着器件的光敏等性能。还讨论了如何减少器件中光敏现...
关键词：MESFET器件 光敏特性 半绝缘 砷化镓 
砷化镓MESFET器件的电路模拟被引量：1
《功能材料与器件学报》1996年第2期102-108,共7页杨国洪 范恒 王碧娟 姚林声 雷少莉 夏冠群 
中国科学院"八五"重大课题
鉴于器件模拟参数在电路模拟中的重要性，本文选择了较为理想的模型参数提取方法─统计试验法，并从理论上解决了该方法在迭代求解过程中存在的隐函数问题，以及解的唯一性问题。同时提出了加速求解的方法，在此基础上设计的软件可获得...
关键词：电路 模拟 砷化镓 MESFET器件 
砷化镓MESFET器件的模拟
《上海微电子技术和应用》1995年第3期24-28,共5页杨国洪 王碧娟 
对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的工艺作了具体分析，认为模拟 的关键是要正确描述注入原子的激活率，适移率，载原子分布及再分布，针对这几个问题，以实验结果为依据对ＰＩＳＣＥＳＩ－Ａ模拟程序作了改进，这个改进证明是成功的。
关键词：砷化镓 半导体器件 MESFET器件 模拟 
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