SiC-MESFET器件的夹断电压  

Investigation of the pinch off voltage of SiC-MESFET

作　　者：王守国[1] 张义门[1] 张玉明[1] 张志勇[2] 阎军锋[2] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安710071 [2]西北大学电子科学系,陕西西安710069

出　　处：《西北大学学报（自然科学版）》2003年第1期26-28,共3页Journal of Northwest University（Natural Science Edition）

基　　金：国防预研基金资助项目(No.8.1.7.3)

摘　　要：考虑空间电荷区杂质的非完全离化、SiC表面的界面态和反向漏电流等因素的影响,给出了较为精确的计算SiC-MESFET器件夹断电压的方法,计算的结果和实验值符合较好。A more precise model of the pinch off voltage of SiCMESFET is given.With the effect of incomplete ionization of dopants,the interface states and the reverse current of schottky barrier diodes are considered.The theoretical calculation of this model is in good agreement with the experimental result.

关 键 词：SiC—MESFET器件 夹断电压 碳化硅 界面态 反向漏电流 非完全离化 

分 类 号：TN386.3[电子电信—物理电子学]