4H-SiC MESFET器件的制备与性能  

Fabrication and Characterization of 4H-SiC MESFETs

作　　者：宁瑾[1,2] 张杨[1,2] 刘忠立[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083 [2]中国科学院传感器国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期385-387,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60406010)

摘　　要：在半绝缘4H-SiC衬底上成功制备出MESFET器件,并完成直流特性测试和交流小信号特性测试工作.共制备出3种结构尺寸的MESFET器件,其栅长栅宽分别为0.5μm/80μm,0.7μm/80μm和2μm/2mm,其中0.5μm/80/μm的MESFET器件的漏极电流密度最高,频率特性最好.在漏源电压Vds=10V时,它的漏极电流Ids约为14mA,电流密度为175mA/mm,最大跨导为25mS/mm,fT=3.5GHz,fmax=7GHz.

关 键 词：4H-SIC MESFET S参数 直流测试 

分 类 号：TN386.3[电子电信—物理电子学]