砷化镓MESFET器件的模拟  

作　　者：杨国洪 王碧娟 

出　　处：《上海微电子技术和应用》1995年第3期24-28,共5页

摘　　要：对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的工艺作了具体分析，认为模拟 的关键是要正确描述注入原子的激活率，适移率，载原子分布及再分布，针对这几个问题，以实验结果为依据对ＰＩＳＣＥＳＩ－Ａ模拟程序作了改进，这个改进证明是成功的。

关 键 词：砷化镓 半导体器件 MESFET器件 模拟 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]