科锐推出S波段GaN器件,实现雷达应用的效率最大化  

出　　处：《电子设计工程》2012年第15期105-105,共1页Electronic Design Engineering

摘　　要：科锐公司宣布推出可适用于军用和商用S渡段雷达中的高效GaNHEMT晶体管。新型S波段GaNHEMT晶体管的额定功率为60W，频率为3．1—3．5GHz之间，与传统Si或GaAsMESFET器件相比，能够提供优越的漏极效率（接近70％）。同时，高效率和高功率密度的结合有助于最大限度地降低散热的要求，并减少在商用雷达系统应用中的尺寸与重量。

关 键 词：MESFET器件 雷达应用 S波段 GaN 最大化 高功率密度 额定功率 GaAs 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]