Analytical Model for GaAs MESFET with High Pinchoff Voltage  

作　　者：Chahrazed Kaddour Cherifa Azizi Saade Edine Khemissi Mourad Zaabat Yasemina Saidi 

机构地区：[1]Faculty of Exact Sciences, Larbi Ben M'hidi University, Oum El Bouaghi 04200, Algeria

出　　处：《材料科学与工程（中英文A版）》2013年第12期853-858,共6页Journal of Materials Science and Engineering A

关 键 词：MESFET器件 夹断电压 GAAS 金属半导体场效应晶体管 解析模型 移动特性 电子电路 静态模型 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN386