SICOI

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SOI基3C-SiC薄膜的光谱表征
《光散射学报》2017年第2期187-190,共4页王飞 杨治美 马瑶 龚敏 
四川大学青年教师科研启动基金(2010SCU11089)
本文探索在SOI基片上通过顶层Si直接与碳源反应,反向外延生长3C-SiC薄膜的工艺条件和技术。采用LPCVD技术,以CH4和H2混合气体为反应源,在SOI衬底上生长3C-SiC薄膜。采用X射线衍射分析仪、场发射扫描电子显微镜和傅里叶红外光谱来研究样...
关键词：立方碳化硅 SOI SICOI 碳化 反向外延 
SiCOI MESFET的特性分析
《电子科技》2010年第6期19-21,共3页王旸 雷天民 张智 
提出了一种新的器件结构-SiCOI结构,即硅衬底上外延SiC制造MESFET器件,并建立了SiCOIMESFET器件结构与模型。使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源...
关键词：SICOI MESFET 结构参数 
6H-SiCOI MESFET器件结构参数对其特性的影响
《微电子学》2004年第3期257-260,264,共5页龚欣 张进城 郝跃 李培咸 
国防预先研究项目资助课题(41308060106)
　采用二维器件仿真软件Medici,模拟分析了SiCOI(绝缘衬底上SiC)MESFET器件的结构参数,如有源层掺杂浓度、栅长和有源层厚度等,对器件特性(阈值电压和跨导)的影响。结果表明,其结构参数对器件特性有较大影响。同时,对所得结果从内部物...
关键词：SICOI MESFET 结构参数 
多台阶介质槽隔离的SiCOI MESFET器件
《Journal of Semiconductors》2004年第1期73-76,共4页龚欣 张进城 郝跃 
国家重点基础研究发展规划资助项目 ( No.2 0 0 2 CB3 1190 4)~~
用二维器件仿真软件 MEDICI对 Si COI(Si C on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究 ,提出了一种新的 Si COI MESFET器件介质槽隔离结构 ,即多台阶介质槽隔离结构 .研究结果表明 ,与单介质槽隔离 Si COI MES-FET相比 ,多台阶结构在...
关键词：SICOI MESFET 多台阶介质槽隔离 击穿电压 
SiCOI制造技术
《半导体情报》2001年第2期26-30,共5页张永华 彭军 黄云霞 
Si COI是一种新型的微电子 SOI材料 ,有望在高温、高频、大功率、抗辐射等电子学领域得到应用发展。本文介绍了近年来几种 Si
关键词：SICOI 晶片键合技术 智能剥离技术 微电子材料 制造技术 
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