彭军

作品数：21被引量：53H指数：4
导出分析报告
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
发文主题：复合氧化物氧化铁氧敏材料碳化硅气敏特性更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术交通运输工程更多>>
发文期刊：《微电子学》《功能材料》《西安电子科技大学学报》《无机材料学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国家部委预研基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
LIGA相关技术及应用被引量：18
《传感器技术》2003年第3期60-64,共5页张永华 丁桂甫 彭军 蔡炳初 
信息产业部微电子技术项目(41308050116)
微电子机械系统(MEMS)技术的兴起及其在现代信息社会中的广泛应用,推动了能实现高深宽比三维微细加工的LIGA及准LIGA技术的迅速发展。介绍了LIGA相关技术的发展状况并举例说明了它们在射频、光学等方面上的一些应用。
关键词：三维微细加工 LIGA技术 准LIGA技术 
蓝宝石衬底异质外延碳化硅薄膜反应机理研究被引量：1
《功能材料与器件学报》2002年第4期391-396,共6页王剑屏 郝跃 彭军 朱作云 张永华 宋国乡 
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的异质外延工艺和反应机理进行了讨论,针对实验使用常压水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布,指出“汽相结晶”过程对薄膜生长区Si/C比例有很大影响,从而...
关键词：蓝宝石衬底异质外延碳化硅薄膜 反应机理 化学汽相淀积 汽相外延 
碳化硅异质外延薄膜生长及表面缺陷研究被引量：3
《西安电子科技大学学报》2002年第4期465-469,共5页王剑屏 郝跃 彭军 朱作云 张永华 
国家部委预研基金资助项目 (w0 0 0 7T45 )
讨论了引入Ⅲ Ⅴ族氮化物为蓝宝石与碳化硅中间的缓冲层 ,用常压气相外延手段在蓝宝石 /Ⅲ Ⅴ族氮化物复合衬底上异质外延碳化硅薄膜的过程 .在C面 (0 0 0 1)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜 .扫描电子显微镜显示薄膜表面连续、光滑 ,证...
关键词：薄膜 碳化硅 异质外延 表面缺陷 腐蚀 衬底 
APCVD生长碳化硅薄膜中汽相结晶过程的研究被引量：3
《光子学报》2002年第7期832-836,共5页王剑屏 郝跃 宋国乡 彭军 朱作云 张永华 
国防科技预研基金资助项目
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积 ( APCVD)异质外延技术进行了讨论 .在 Si C薄膜的生长过程中对 Si/ C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素 .针对水平卧式反应室 ,分析了生长过程中气流流速...
关键词：APCVD 碳化硅薄膜 汽相结果 常压化学汽相淀积 异质外延 生长过程 生长速率 
发展中的SiCOI技术
《微电子学》2002年第2期81-85,共5页张永华 彭军 
Si COI技术是 Si C材料与 SOI技术结合而形成的一种新的微电子技术 ,它的产生与发展不仅推动 Si C半导体技术的发展 ,还将弥补 Si SOI技术应用的局限性 ,并将在高温、高频、大功率、抗辐射等电子学领域得到应用和发展。文章介绍了近年来 Si
关键词：绝缘层上碳化硅 注氧隔离 晶片键合 蓝宝石上碳化硅 微电子技术 碳化硅半导体 
蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究被引量：7
《物理学报》2002年第8期1793-1797,共5页王剑屏 郝跃 彭军 朱作云 张永华 
报道了在蓝宝石 (α Al2 O3)衬底上采用atmosphericpressurechemicalvapor(APCVD)技术异质外延碳化硅薄膜材料的研究 .通过引入Ⅲ Ⅴ族氮化物为中间的缓冲层 ,在C(0 0 0 1)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜 ,经过四晶衍射分析 ,分别在 35 ...
关键词：蓝宝石衬底 异质外延生长 碳化硅薄膜 化学汽相淀积 
SiCOI制造技术
《半导体情报》2001年第2期26-30,共5页张永华 彭军 黄云霞 
Si COI是一种新型的微电子 SOI材料 ,有望在高温、高频、大功率、抗辐射等电子学领域得到应用发展。本文介绍了近年来几种 Si
关键词：SICOI 晶片键合技术 智能剥离技术 微电子材料 制造技术 
SiC单片集成电路工艺技术
《西安电子科技大学学报》2000年第2期228-232,共5页王剑屏 郝跃 彭军 
对宽禁带半导体材料碳化硅的异质外延技术以及碳化硅集成电路单项工艺技术进行了讨论 ,比较了不同的工艺对集成电路制造的影响 .介绍了工作于 5V电压下的碳化硅数字互补型金属氧化物半导体集成电路工艺技术 .
关键词：碳化硅 集成电路 异质外延 
蓝宝石/氮化铝衬底上SiC外延薄膜的X射线衍射分析被引量：4
《西安电子科技大学学报》2000年第2期186-189,共4页彭军 朱作云 贾护军 杨银堂 郑有炓 郭振琪 
国防科技预研基金资助项目 !(97J8 3 2 )
介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种X光衍射方法对生长在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上的碳化硅薄膜的...
关键词：蓝宝石 氮化铝 衬底 X射线衍射 碳化硅 外延薄膜 
复合氧敏材料的瞬态特性研究被引量：1
《西安电子科技大学学报》1998年第3期349-352,379,共5页彭军 刘笃仁 
国家自然科学基金
将氧化物氧敏材料ＴｉＯ２与Ｎｂ２Ｏ５复合化，研究其氧敏瞬态特性及与环境温度、气流转换频率的关系，并指出采样方法对瞬态特性的影响．在无贵金属催化条件下，烧结型复合氧敏材料的响应时间可达６０ｍｓ．对材料的结构及响应机理进...
关键词：氧敏材料 复合氧化物 瞬态特性 汽车 传感器 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部