SiC单片集成电路工艺技术  

Study of the Silicon Carbide integrate circuits technique

作　　者：王剑屏[1] 郝跃[1] 彭军[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子所,陕西西安710071

出　　处：《西安电子科技大学学报》2000年第2期228-232,共5页Journal of Xidian University

摘　　要：对宽禁带半导体材料碳化硅的异质外延技术以及碳化硅集成电路单项工艺技术进行了讨论 ,比较了不同的工艺对集成电路制造的影响 .介绍了工作于 5V电压下的碳化硅数字互补型金属氧化物半导体集成电路工艺技术 .The technique about the heteroepitaxial growth of wide bandgap material Carbon Silicon (SiC) thin films and SiC integrate circuits are discussed. Different techniques are compared in their power supply.

关 键 词：碳化硅 集成电路 异质外延 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]