云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- APCVD

APCVD: 作品数：43被引量：56H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信化学工程更多>>; 相关作者：韩高荣杨辉刘石兵李昌烽葛曼珍更多>>; 相关机构：浙江大学西安电子科技大学杭州中欣晶圆半导体股份有限公司山东有研半导体材料有限公司更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部科学技术研究重点项目浙江省151人才工程更多>>

重掺硅片表面APCVD法生长SiO_(2)薄膜的致密性: 《半导体技术》2024年第6期544-548,共5页史延爽王浩铭田原张旭武永超; 在硅片加工过程中,金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流,甚至直接导致pn结禁带宽度变窄,为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象,通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO_(2)薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 c...; 关键词：常压化学气相沉积(APCVD)法 SiO_(2)薄膜致密性自掺杂沉积速率

在不同基底上APCVD生长石墨烯及其生长机制: 《微纳电子技术》2022年第12期1343-1351,共9页张召凯宋也男; 石墨烯的常压化学气相沉积(APCVD)生长通常在具有催化活性的Cu、铜镍(Cu-Ni)合金等金属基底表面进行,生长基底的单一性和模糊的生长机制大大限制了APCVD在石墨烯大规模制备中的应用前景。使用乙醇作为液态碳源,在石墨烯的APCVD生长过程...; 关键词：常压化学气相沉积(APCVD) 石墨烯气相色谱金属基底 SiO_(2)/Si

Improving TC drill bit's efficiency and resistance to wear by graphene coating: 《Petroleum Research》2022年第4期430-436,共7页Reza Taheri Mohsen Jalali Ahmed Al-Yaseri George Yabesh; Displaying a two-dimensional pure crystal carbon structure,Graphene is the strongest,yet thinnest substance discovered by scientists.Coating tungsten carbide(TC)drill bits with graphene to evaluate the effect of graph...; 关键词：Drill bit's efficiency Graphene-coated ANSYS APCVD Wear reduction Penetration rate

APCVD制备SiOx薄膜工艺研究被引量：1: 《电子工业专用设备》2020年第5期29-33,共5页云娜康洪亮高丹佟丽英; 简单介绍常压化学气相沉积法(APCVD)制备氧化硅薄膜的基本原理和工艺。通过调整不同的沉积温度、硅烷流量、稀释氮气流量、分离氮气流量、皮带带速等工艺参数,对所沉积的氧化硅薄膜的厚度及沉积效率进行了分析研究。发现随着硅烷流量或...; 关键词：常压化学气相沉积硅烷膜厚流量沉积温度

APCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究被引量：1: 《电子工艺技术》2019年第6期345-347,355,共4页高丹康洪亮徐强佟丽英; 背封技术可以有效防止硅外延过程中造成的自掺杂现象。讨论了APCVD制备二氧化硅膜工艺中膜厚、淀积温度和O2与SiH4比例等关系,分析了膜厚均匀性的影响因素和膜表面质量,提出了SiO2膜淀积的工艺条件及背封前清洗方法。; 关键词：背封 APCVD SIO2膜

在线APCVD镀膜玻璃渐变过渡层性能研究: 《硅酸盐通报》2017年第12期4157-4162,共6页胡铁石符有杰赵会峰张振华潘国治姜宏; 中航工业通飞科技发展研究项目(TFKY2015002); 通过在线常压化学相沉积镀膜手段制备了FTO玻璃的单层硅/锡混合过渡膜层,并通过各种分析手段测试了可见光透过率、方块电阻、膜层表面结构及纵向元素分布等性能,研究了其结构组成对各项性能的影响。结果表明:膜层中Sn含量由表面至基底...; 关键词：FTO薄膜过渡层渐变膜层在线镀膜常压化学气相沉积法

工作气体对APCVD石墨烯薄膜生长和性能的影响被引量：1: 《中国有色金属学报》2017年第11期2315-2321,共7页刘庆渊苏东艺彭继华; 广东省省级科技计划资助项目(2015B090923006);广州市科技计划资助项目(201604010020)~~; 以铜箔为基底,采用常压化学气相沉积(APCVD)方法制备石墨烯,控制总气体流量不变,改变甲烷流量(甲烷流量与总气体流量之比),利用RAMAN、SEM、分光光度计、四探针电阻率测试仪等对样品的形貌、结构、透光率及导电性能进行表征,讨论甲烷流...; 关键词：石墨烯常压化学气相沉积(APCVD) 生长过程光电性能

IGBT制造工艺中的APCVD设备改进研究被引量：1: 《集成电路应用》2017年第8期56-58,共3页傅轶; 上海市科学技术委员会科技创新行动计划高新技术基金(17DZ1100300); 采用新的备件清洗和管理方式,降低offline和inline存在的particle和defect,提高产品line yeild,并研究常压化学气相淀积(APCVD)设备系统存在稳定性差,均匀性差等特点,合理使用设备和备件,增加设备保养周期内的出片率,降低产品缺陷和设...; 关键词：集成电路制造 IGBT 常压化学淀积 APCVD Particle VPD

APCVD技术在晶硅太阳电池中的应用研究: 《太阳能》2016年第4期29-31,67,共4页钱俊何凤琴卢刚张治郭灵山; 为研究APCVD制备p-n结技术在晶硅太阳电池中的应用,对APCVD的原理及实现方式进行了分析。调节温度及气体流量比例,对APCVD制备PSG进行实验对比,得出随着O_2与氢化物的比例的增大,沉积的膜厚先增大后减小,升高温度有助于加快PSG的沉积这...; 关键词：APCVD 双面太阳电池共扩散

Epitaxial n- and p-type Emitters for High Efficiency Solar Cell Concepts: 《Journal of Energy and Power Engineering》2014年第8期1371-1377,共7页Thomas Rachow Friedemann Heinz Bemd Steinhauser Stefan Janz Stefan Reber; Reducing the module prices by increasing the efficiency of solar cells is one of the major challenges in today＇s photovoltaic research. The emitter formation by epitaxial growth offers a cost-efficient and faster alt...; 关键词：Solar cells pn-junction emitter formation silicon deposition EPITAXY APCVD

APCVD