APCVD技术在晶硅太阳电池中的应用研究  

作　　者：钱俊 何凤琴 卢刚 张治 郭灵山 

机构地区：[1]黄河水电光伏产业技术有限公司

出　　处：《太阳能》2016年第4期29-31,67,共4页Solar Energy

摘　　要：为研究APCVD制备p-n结技术在晶硅太阳电池中的应用,对APCVD的原理及实现方式进行了分析。调节温度及气体流量比例,对APCVD制备PSG进行实验对比,得出随着O_2与氢化物的比例的增大,沉积的膜厚先增大后减小,升高温度有助于加快PSG的沉积这一结论。结合APCVD的原理及实现方式对双面太阳电池制备的关键工艺高温共扩散进行方案设计,并进行相应的实验验证,完成了成品双面电池的制作,正面转换效率达到19.68%,背面转换效率为11.66%。

关 键 词：APCVD 双面太阳电池 共扩散 

分 类 号：TM914.41[电气工程—电力电子与电力传动]