汽相外延

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TDI量产2英寸GaN
《半导体信息》2006年第5期17-17,共1页陈裕权 
关键词：汽相外延 功率系统 批量生产 小型企业 激光二极管 GAN TDI 研究计划 导弹防御 
蓝宝石上生长GaN外延层的一种改良技术
《半导体信息》2006年第4期28-29,共2页陈裕权 
关键词：外延层 GaN MOCVD 改良技术 反应室 蓝宝石衬底 汽相外延 固体电子学 缓冲层 原子力显微镜 
TDI开发AlNSiC和InN材料
《半导体信息》2006年第3期19-19,共1页陈裕权 
关键词：AlNSiC INN TDI 外延层 晶格匹配 白光发光二极管 AlGaN 淀积 汽相外延 超高功率 
TDI公司的GaN外延片生产取得突破
《半导体信息》2006年第1期27-27,共1页陈裕权 
关键词：外延片 GAN TDI 汽相外延 外延材料 器件性能 关键构件 无线通信 调查分析 
材料制备工艺
《电子科技文摘》2006年第2期32-33,共2页
0603408 共沉淀法制备MFe2O4(M=Zn,Cd,Mg和Cu)厚膜的硫化物传感特性=Sulfide-sensing characteristics for MFe2O4(M=Zn,Cd,Mg and Cu)thick film prepared by co-precipitation method[刊,英]／C．Xiangfeng and Z． chenmou／／Electr...
关键词：制备工艺 分子束外延生长 分子束外延 汽相外延生长 等离子体衰减 碳纤维 碳化纤维 人造无机纤维 传感特性 缓冲层 异质结构 
用金属有机汽相外延技术制作焦平面列阵的InSb光电二极管
《红外》2005年第4期46-46,共1页高国龙 
工作于3μm～5μm大气窗口的焦平面列阵具有许多军事和民间应用,如前视红外、导弹制导、无损材料测试以及肿瘤检查等.用离子注入技术可以制作出高均匀性的探测器,但是这种工艺会限制PN结的质量,增加仪器内的暗电流,而且需要低的操作温度.
关键词：焦平面列阵 光电二极管 INSB 技术制作 汽相外延 金属有机 离子注入技术 大气窗口 前视红外 导弹制导 材料测试 高均匀性 操作温度 探测器 PN结 暗电流 
用分子束外延法生长蓝光二极管
《半导体信息》2004年第5期19-19,共1页江兴 
据报道,夏普欧洲实验室科学家已用分子束外延生长世界首只蓝紫激光二极管。器件生长在蓝宝石基底上,是屋脊形波导InGaN多量子阱激光器,室温运转,输出波长为400nm。此有机金属汽相外延系统专为生长GaN器件设计。其主要优点是源材料消耗...
关键词：分子束外延法 脊形波导 输出波长 激光二极管 汽相外延 阈值电流 多量子阱 分子束外延生长 掺杂物 有机金属 
1.78μm应变InGaAs-InGaAsP-InP分布反馈量子阱激光器(英文)
《光电子．激光》2004年第8期906-909,共4页王书荣 王辉 王宝军 朱洪亮 张靖 丁颖 赵玲娟 周帆 王鲁峰 王圩 
SupportedbytheNationalNaturalScienceFoundationofChina(60 1 760 2 3)
采用低金属有机汽相外延(LP MOVPE)生长大应变InGaAs/InGaAsP做有源区,研制了激射波长为1.78μm的脊波导分布反馈(DFB)激光器,对于解理腔长为900μm的激光器,室温时其激射的阈值电流为33mA,最大单面光输出功率/和单面外微分量子效率分别...
关键词：分布反馈 量子阱激光器 DFB 边模抑制比 脊波导 汽相外延 腔长 外微分 分量 光谱 
高品质GaN晶片生产新技术
《半导体信息》2003年第5期24-25,共2页陈裕权 
日本Hitachi Cable公司的研究人员开发出用来制备大尺寸独立式GaN晶片被称之为"空隙辅助分离"新技术。在以蓝宝石为衬底,MOVPE生长的GaN模板的TiN顶层膜上氢化物汽相外延生长一层厚GaN层,这种TiN膜为网孔状结构,网孔尺寸20～30nm。
关键词：汽相外延生长 GAN 独立式 真空蒸发 孔状 HITACHI 基板 网孔 外延层 弧秒 
晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2003年第4期20-21,共2页
Y2002-63306-417 0307166等离子体增强化学汽相沉积形成钝化膜的偏压应力导致 InAlAs/InGaAs/InP HEMTs 隔离退化=Isolationdegradation of InAlAs/InGaAs/InP HEMTs due to biasstress depending on passivation films formed by PCVD[...
关键词：MOS器件 等离子体增强 钝化膜 汽相外延生长 PCVD 沉积形成 沟道长度 热载流子 MESFET 噪声模型 
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