汽相外延生长

作品数：21被引量：7H指数：1
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：段树坤陆大成王静宇宋炳文杨玉林更多>>
相关机构：中国科学院吉林大学昆明物理研究所机电部更多>>
相关期刊：《电子科技文摘》《红外》《红外与激光工程》《稀有金属》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
材料制备工艺
《电子科技文摘》2006年第2期32-33,共2页
0603408 共沉淀法制备MFe2O4(M=Zn,Cd,Mg和Cu)厚膜的硫化物传感特性=Sulfide-sensing characteristics for MFe2O4(M=Zn,Cd,Mg and Cu)thick film prepared by co-precipitation method[刊,英]／C．Xiangfeng and Z． chenmou／／Electr...
关键词：制备工艺 分子束外延生长 分子束外延 汽相外延生长 等离子体衰减 碳纤维 碳化纤维 人造无机纤维 传感特性 缓冲层 异质结构 
高品质GaN晶片生产新技术
《半导体信息》2003年第5期24-25,共2页陈裕权 
日本Hitachi Cable公司的研究人员开发出用来制备大尺寸独立式GaN晶片被称之为"空隙辅助分离"新技术。在以蓝宝石为衬底,MOVPE生长的GaN模板的TiN顶层膜上氢化物汽相外延生长一层厚GaN层,这种TiN膜为网孔状结构,网孔尺寸20～30nm。
关键词：汽相外延生长 GAN 独立式 真空蒸发 孔状 HITACHI 基板 网孔 外延层 弧秒 
晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2003年第4期20-21,共2页
Y2002-63306-417 0307166等离子体增强化学汽相沉积形成钝化膜的偏压应力导致 InAlAs/InGaAs/InP HEMTs 隔离退化=Isolationdegradation of InAlAs/InGaAs/InP HEMTs due to biasstress depending on passivation films formed by PCVD[...
关键词：MOS器件 等离子体增强 钝化膜 汽相外延生长 PCVD 沉积形成 沟道长度 热载流子 MESFET 噪声模型 
材料制备工艺
《电子科技文摘》2003年第4期24-25,共2页
Y2002-63306-276 0307221生长速率对金属有机分子束外延生长 InGaAs/InP(001)晶面横向组分调制的影响=Effects of growthrate on lateral compositional modulation of InGaAs/InP(001)grown by metalorganic m01ecular beam epiraxy[会...
关键词：材料制备工艺 分子束外延生长 汽相外延生长 compositional 可见光透射率 量子点 量子线 异质外延 晶格匹配 激光器结构 
碲镉汞薄膜的有机金属化合物汽相外延生长被引量：5
《红外与激光工程》1997年第4期45-48,60,共5页宋炳文 刘朝旺 王跃 王静宇 杨玉林 
利用水平、常压有机金属化合物汽相外延（MOVP）装置，DMCd、DIPT及元素汞在约360℃，采用互扩散多层工艺，通过计算机控制，在GaAs、CdTe衬底上按不同条件生长碲化镉、碲化汞和碲镉汞的初步结果，包括组分、表面形态、薄膜厚度、红外...
关键词：碲镉汞薄膜 MOVPE 红外光学材料 
氢汽相外延生长激光二极管质量的InP／Si
《发光快报》1995年第5期34-36,共3页邸建华 
关键词：半导体 激光二极管 磷化铟/硅 集成光学器件 
金属有机汽相外延生长CuGa（S0.65Se0.35）2／CuAl0.3Ga0.7（S0.65Se0.35）2双异
《发光快报》1994年第6期35-38,共4页尤明秋 
关键词：MOVPE 双异质结 光学泵浦 受激发射 泵浦 
光助金属有机汽相外延生长ZnSe的氮掺杂
《发光快报》1994年第4期42-46,共5页
关键词：硒化锌 氮掺杂 光助汽相外延 
HgCdTe的金属有机汽相外延生长(下)
《红外》1994年第6期25-30,共6页S.J.C.Irvine 高国龙 
4.低温生长 发展金属有机汽相外延的最初动机是为了降低生长温度,从而减少与高平衡Hg汽压及一般较高的扩散系数有关的材料问题。第一次生长碲镉汞时,使用了DMCd和DETe,这两种材料均需要410 ℃的衬底温度。Hoke等人首先提出把能够在较低...
关键词：HGCDTE 有机处延 生长 探测器 
HgCdTe的金属有机汽相外延生长(上)
《红外》1994年第5期1-5,共5页S.J.C.Irvine 高国龙 
概述了用于制备碲镉汞焦平面列阵的金属有机汽相外延生长(MOVPE)技术的一些主要发展步骤。原始有机金属纯度的提高,已可以使本底施主浓度达到10^(14)cm^(-3)的程度,同时还允许用施主或受主控制反向掺杂。用内部扩散多层方法(IMP)有可能...
关键词：碲镉汞 汽相外延生长 红外探测器 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部