异质外延生长

作品数：33被引量：86H指数：6
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异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展被引量：1
《人工晶体学报》2023年第6期931-944,共14页陈根强 赵浠翔 于众成 李政 魏强 林芳 王宏兴 
国家重点研发计划(2021YFB3602100);国家自然科学基金(U21A2073,62074127)。
相较于传统的硅材料,宽禁带半导体材料更适合制作高压、高频、高功率的半导体器件,被认为是后摩尔时代材料创新的关键角色。单晶金刚石拥有大禁带宽度、高热导率、高迁移率等优异特性,更是下一代大功率、高频电子器件的理想半导体材料...
关键词：单晶金刚石 异质外延生长 宽禁带半导体 半导体器件 场效应晶体管 二极管 
偏压技术在金刚石薄膜制备中应用的进展被引量：1
《材料研究学报》2022年第3期161-174,共14页邵思武 郑宇亭 安康 黄亚博 陈良贤 刘金龙 魏俊俊 李成明 
国家重点研发计划(2018YFB0406500);国家重点研发计划(2016YFE0133200);欧洲地平线Horizon 2020计划(734578);北京科技大学顺德研究生院科研经费(2020BH015)。
近年来,用偏压技术进行异质外延单晶金刚石生长并将其尺寸增大到英寸级以上。偏压技术强大的形核能力使其也可用于制备取向金刚石薄膜、纳米金刚石薄膜和超纳米金刚石薄膜。本文综述了国内外关于偏压技术的机理以及偏压的形式和设备等...
关键词：评述 化学气相沉积 偏压 金刚石薄膜 异质外延生长 
GaN基异质外延生长的ZnO单晶电输运特性研究
《真空科学与技术学报》2020年第10期989-995,共7页钟昌杰 樊龙 彭丽萍 曹林洪 王雪敏 刘振华 熊政伟 吴卫东 
中国工程物理研究院中子物理重点实验室基金项目(批准号2018BB02);国家自然科学基金项目(批准号11904299、11905199,U1930124)。
报道了一种新方法生长的ZnO单晶的电输运特性,利用该方法在GaN外延膜表面生长了尺寸为25 mm×25 mm,平均厚度7 mm的ZnO单晶块。通过研究ZnO单晶不同深度处的电输运特性,判断了ZnO单晶内部不同位置的结晶质量。以GaN表面为起始面,沿[0002...
关键词：ZnO生长 块体单晶 真空气相输运 异质外延 
PVT法AlN单晶生长技术研究进展及其面临挑战被引量：14
《人工晶体学报》2020年第7期1141-1156,共16页付丹扬 龚建超 雷丹 黄嘉丽 王琦琨 吴亮 
氮化铝(AlN)具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率(340 W/(m·℃))、高击穿场强(11.7 MV/cm)、良好的紫外透过率、高化学和热稳定性等优异性能,是氮化镓基(GaN)高温、高频、高功率电子器件以及高Al组分深紫外光电器件的理想衬底材料。物...
关键词：AlN单晶 PVT 自发形核生长 同质外延生长 异质外延生长 
半导体所在石墨烯上外延深紫外LED研究中取得新进展
《高科技与产业化》2019年第6期74-74,共1页
国家重点研发计划;国家自然科学基金;北京市自然基金的支持。
深紫外LED可以广泛应用于杀毒、消菌、印刷和通信等领域,国际水俣公约的提出,促使深紫外LED的全面应用更是迫在眉睫,但是商业化深紫外LED不到10%的外量子效率严重限制了深紫外LED的应用。AlN材料质量是深紫外LED的核心因素之一,AlN薄膜...
关键词：深紫外 LED SI(111)衬底 金属有机化学气相沉积 石墨烯 半导体 ALN薄膜 异质外延生长 
高质量InSb薄膜的MBE同质和异质外延生长被引量：3
《激光与红外》2018年第3期352-357,共6页尚林涛 周翠 沈宝玉 周朋 刘铭 强宇 王彬 
InSb是3~5μm中波红外波段具有重要研究意义的材料。本文以单位内部生产的InSb(100)衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧、生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5μm样品的表面粗糙度RMS≈0.3 nm(10μm×10μm)...
关键词：INSB InSb/GaAS 分子束外延 同质外延 异质外延 
不同温度下异质外延生长立方氮化硼薄膜及其原位掺杂
《超硬材料工程》2018年第1期28-33,共6页赵德鹤 殷红 
本工作感谢国家自然科学基金（基金号：51572105和61504046）,教育部留学回国人员启动基金,吉林省发改委创新项目（资助号：2015Y050）以及吉林省留学回国人员启动基金的支持.
在金刚石（ 0 0 1） 基底上, 在4 0 0℃、 6 0 0℃和9 0 0℃温度条件下外延生长高质量的c -B N薄膜.在不同的沉积温度下的薄膜生长过程中掺入S i , 实现了n型原位掺杂.S i的浓度随着生长温度的降低而升高.系统地研究了不同的沉积温度和...
关键词：离子束辅助沉积 立方氮化硼薄膜 外延 原位掺杂 n型导电 电子应用 
反应烧结碳材料表面异质外延生长SiO_2晶体的研究被引量：1
《人工晶体学报》2015年第11期3103-3107,共5页张旺玺 梁宝岩 王艳芝 张艳丽 孙玉周 穆云超 
国家自然科学基金(11472316);河南省教育厅重点项目(13A430132;151RTSTHN004);河南省基础与前沿技术研究计划(132300410164);河南省省院科技合作项目(122106000051;142106000193);河南省教育厅自然科学研究计划项目资助(12A430024;13A430128;14A430007)
利用高温反应烧结在不同结构碳材料表面热蒸发进行二氧化硅(SiO_2)晶体的外延生长。采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子能谱仪(EDS)分析和研究了碳材料表面生成物的物相组成与显微形貌,探讨了SiO_2晶体的外延生长机理。研究结...
关键词：热蒸发法 碳材料 二氧化硅 异质外延生长 
柔性电子用NiW薄片上ZCO异质外延生长(英文)
《电子元件与材料》2014年第3期24-26,共3页赵静 
低成本柔性金属薄片上的异质外延氧化铈薄膜的潜在应用领域有固体燃料电池、气体传感器和光学器件等。利用直流反应磁控溅射法在双轴织构NiW合金衬底上进行Zr掺杂氧化铈薄膜的外延生长研究。结果表明,不同Zr掺杂量的薄膜可通过调制Zr靶...
关键词：Zr掺杂氧化铈 薄膜 异质外延 柔性电子 溅射法 面内织构 
异质外延生长中应变对圆形岛形貌稳定性的影响被引量：1
《物理学报》2013年第23期394-401,共8页王静 冯露 郝毅 赵洋 陈振飞 
国家自然科学基金(批准号:11272231;11072169)资助的课题~~
本文利用BCF模型研究了应变对圆形岛形貌稳定性的影响.通过Gibbs-Thomson关系将应变引入该模型中,讨论了在失配应变、外场应变以及沉积流量、线张力和远场流量等因素共同作用下圆形岛的稳定性,并得到了相应的扰动增长率以及临界沉积流量...
关键词：形貌稳定性 失配应变 外场应变 圆形岛 
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