云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 立方氮化硼薄膜

立方氮化硼薄膜: 作品数：71被引量：74H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：理学电子电信更多>>; 相关作者：邓金祥陈光华张平谭俊蔡志海更多>>; 相关机构：北京工业大学兰州大学吉林大学中国科学院更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金浙江省自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>

立方氮化硼薄膜的制备及光学性质调控: 《超硬材料工程》2023年第5期16-20,共5页刘彩云殷红; 国家自然科学基金(No.51872113,No.51572105)。; 立方氮化硼(cBN)作为超宽禁带半导体材料,由于具有一系列优异的物理化学性质而受到广泛关注。文章采用射频磁控溅射方法通过优化工艺参数成功地在单晶硅衬底上制备了cBN薄膜。在工作气体为氮氩混合气体、功率120 W、生长温度为600℃的...; 关键词：立方氮化硼薄膜微观结构分子振动光学性质

不同温度下异质外延生长立方氮化硼薄膜及其原位掺杂: 《超硬材料工程》2018年第1期28-33,共6页赵德鹤殷红; 本工作感谢国家自然科学基金（基金号：51572105和61504046）,教育部留学回国人员启动基金,吉林省发改委创新项目（资助号：2015Y050）以及吉林省留学回国人员启动基金的支持.; 在金刚石（ 0 0 1）基底上, 在4 0 0℃、 6 0 0℃和9 0 0℃温度条件下外延生长高质量的c -B N薄膜.在不同的沉积温度下的薄膜生长过程中掺入S i , 实现了n型原位掺杂.S i的浓度随着生长温度的降低而升高.系统地研究了不同的沉积温度和...; 关键词：离子束辅助沉积立方氮化硼薄膜外延原位掺杂 n型导电电子应用

立方氮化硼薄膜的制备及研究被引量：3: 《真空科学与技术学报》2014年第9期950-955,共6页王明娥马国佳董闯; 通过工艺对比,考察了过渡层在降低立方氮化硼薄膜内应力方面的作用,并研究了薄膜的力学性能。结果表明B-C-N三元过渡层的添加有效地降低了薄膜内应力。X射线光电子能谱结果显示在B-C-N三元过渡层内形成了成分的逐渐变化,同时各元素间杂...; 关键词：立方氮化硼薄膜 B-C-N过渡层应力 X射线光电子能谱

Electrical properties of sulfur-implanted cubic boron nitride thin films被引量：2: 《Chinese Science Bulletin》2014年第12期1280-1284,共5页Xingwang Zhang Zhigang Yin Faitong Si Hongli Gao Xin Liu Xiulan Zhang; supported by the National Basic Research Program of China(2012CB619306);the National Natural Science Foundation of China(61376007); Cubic boron nitride(c-BN)thin films were deposited on Si substrates by applying ion beam assisted deposition and then doped by S ion implantation.To produce a uniform depth profile of S ions in c-BN films,the implanta...; 关键词：立方氮化硼薄膜硫离子电学性能离子束辅助沉积 c-BN薄膜离子注入掺杂剂半导体特性

立方氮化硼薄膜及溅射沉积的研究进展被引量：1: 《硬质合金》2013年第5期281-287,共7页王少鹏; 溅射沉积由于获得的cBN薄膜颗粒尺寸小、立方相含量高,是cBN薄膜制备技术发展的一个重要方向。本文介绍了溅射沉积过程中的基体负偏压、沉积气氛、沉积温度、靶材功率等工艺参数对cBN薄膜中立方相的含量和薄膜性能的影响规律。并从优化...; 关键词：溅射沉积 CBN 研究进展

立方氮化硼薄膜的应用: 《超硬材料工程》2012年第5期12-12,共1页; 立方氮化硼是硬度仅次于金刚石，广泛用于超硬刀具、散热材料、高温半导体等方面。虽说是个“老二”，但前途却是不可估量的。在日前的投融资洽谈会上，杭州天柱科技有限公司就拿出了立方氮化硼薄膜，让你不用金刚钻，也能揽瓷器活，只...; 关键词：立方氮化硼薄膜应用超硬刀具高温半导体散热材料 LED灯金刚石投融资

立方氮化硼薄膜中的氧杂质被引量：4: 《无机材料学报》2010年第7期748-752,共5页杨杭生邱发敏聂安民; 国家自然科学基金(50772096); 采用等离子体增强化学气相生长技术制备立方氮化硼薄膜,系统研究了背底真空度和生长过程中氧气的存在对立方氮化硼薄膜中氧杂质含量的影响.发现把背底真空度提高至1×10-5Pa仍然不能有效消除立方氮化硼薄膜中的氧杂质.随着立方氮化硼薄...; 关键词：立方氮化硼薄膜等离子体增强化学气相生长红外光谱氧杂质

原位Si掺杂c-BN薄膜的制备及电学性质研究: 《微纳电子技术》2010年第7期409-414,共6页应杰范亚明谭海仁施辉伟; 采用双离子束辅助沉积技术制备了原位Si掺杂的c-BN薄膜。系统研究了辅源轰击束流大小、辅源气体组分比以及衬底温度对制备薄膜的影响。结果表明,在掺入Si杂质后,要保持高立方相含量,必须增强辅源离子的轰击强度;随着辅源混合气体中Ar含...; 关键词：立方氮化硼薄膜掺杂硅立方相含量电学输运

室温下金刚石薄膜上沉积立方氮化硼薄膜的研究被引量：1: 《人工晶体学报》2009年第5期1083-1087,共5页冯健徐闰汤敏燕张旭乐永康王林军; 上海市教育委员会优秀青年基金(No.006AZ008);国家自然科学基金(No.60577040;60877017); 采用射频磁控溅射技术分别在纳米与微米金刚石薄膜上制备立方氮化硼(c-BN)薄膜。金刚石薄膜由拉曼光谱(Raman)及原子力显微镜(AFM)进行表征。采用傅立叶变换红外光谱(FTIR)研究了不同沉积温度对c-BN薄膜生长的影响,结果表明在金刚石薄...; 关键词：BN薄膜金刚石薄膜射频磁控溅射

立方氮化硼薄膜的最新研究进展被引量：9: 《物理学报》2009年第2期1364-1370,共7页杨杭生聂安民张健英; 国家自然科学基金(批准号:50772096);浙江省自然科学基金(批准号:Y405051);浙江省教育厅(批准号:20061365);教育部留学回国人员科研启动经费(批准号:[2007]24号)资助的课题~~; 立方氮化硼(cBN)作为一种在自然界中并不存在的人造材料具有优异的理化特性.在超硬刀具、高温电子器件和光学保护膜等领域有着广泛的应用前景,已经成为材料科学的研究热点之一.但是气相生长高质量cBN薄膜仍然还有许多难点需要攻克.在综...; 关键词：立方氮化硼薄膜压缩应力异质外延掺杂

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