半导体所在石墨烯上外延深紫外LED研究中取得新进展  

出　　处：《高科技与产业化》2019年第6期74-74,共1页High-Technology & Commercialization

基　　金：国家重点研发计划;国家自然科学基金;北京市自然基金的支持。

摘　　要：深紫外LED可以广泛应用于杀毒、消菌、印刷和通信等领域,国际水俣公约的提出,促使深紫外LED的全面应用更是迫在眉睫,但是商业化深紫外LED不到10%的外量子效率严重限制了深紫外LED的应用。AlN材料质量是深紫外LED的核心因素之一,AlN薄膜主要是通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法异质外延生长在c-蓝宝石、6H-SiC和Si(111)衬底上,AlN与衬底之间存在较大的晶格失配与热失配,使得外延层中存在较大的应力与较高的位错密度,严重降低器件性能。与此同时,AlN前驱体在这类衬底上迁移势垒较高,浸润性较差,倾向于三维岛状生长,需要一定的厚度才可以实现融合,增加了时间成本。

关 键 词：深紫外 LED SI(111)衬底 金属有机化学气相沉积 石墨烯 半导体 ALN薄膜 异质外延生长 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]