智能剥离技术

作品数:6被引量:6H指数:1
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相关机构:中国科学院北京大学北京师范大学中国科学院上海冶金研究所更多>>
相关期刊:《压电与声光》《世界科学》《中国集成电路》《功能材料与器件学报》更多>>
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硅基钽酸锂压电单晶复合薄膜材料及应用被引量:5
《压电与声光》2023年第1期66-71,81,共7页丁雨憧 何杰 陈哲明 龙勇 毛世平 马晋毅 
绝缘体上压电基板(POI)是一种新兴的压电单晶复合薄膜结构材料。POI基板由压电单晶材料薄层(单晶钽酸锂/铌酸锂)、二氧化硅层及高阻硅衬底构成,采用Smart-Cut工艺制备,可保证板层高均匀度及高质量的批量生产。通过这种基板可设计满足5G...
关键词:绝缘体上单晶钽酸锂薄膜(LTOI) POI基板 声表面波 智能剥离技术 晶体离子注入剥离(CIS) 晶圆键合 
住友电工与SOITEC合作开发低成本GaN基板
《现代材料动态》2011年第4期2-2,共1页杨晓婵(摘译) 
日本住友电气工业公司与法国SOITEC公司合作,共同开发低成本氮化镓(GaN)基板。将住友电工公司的高品质GaN基板制造技术与SOITEC公司的智能剥离技术(Smart.cut)
关键词:住友电工公司 合作开发 GAN 低成本 基板 日本住友电气工业公司 智能剥离技术 制造技术 
21世纪的微电子材料——SOI材料
《中国集成电路》2003年第52期88-91,40,共5页张臣 
SOI(Silicon On Insulator)技术是在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的,它是在集成电路进入亚微米、深亚微米后能突破体硅材料与硅集成电路限制的新型集成电路技术。绝缘体上的硅以其独特的材料结构和优异的特性,有效地克服了...
关键词:微电子材料 SOI材料 注入氧隔离技术 材料制备 键合背面腐蚀 智能剥离技术 
智能剥离技术制备单晶SOG材料的研究被引量:1
《功能材料与器件学报》2003年第2期219-221,共3页宋华清 石兢 张苗 林成鲁 
国家自然科学基金资助项目(No.90101012)
结合中等剂量的氢离子注入和阳极键合(Anodicbonding),利用智能剥离技术(Smart-cut)成功转移了一层单晶硅到玻璃衬底上。采用剖面透射电镜、高分辨透射电镜、扫描电镜和拉曼光谱等对SOG材料进行了研究,结果表明此技术制备的SOG材料具有...
关键词:单晶硅 SOG材料 阳极键合 智能剥离 落层转移 
SiCOI制造技术
《半导体情报》2001年第2期26-30,共5页张永华 彭军 黄云霞 
Si COI是一种新型的微电子 SOI材料 ,有望在高温、高频、大功率、抗辐射等电子学领域得到应用发展。本文介绍了近年来几种 Si
关键词:SICOI 晶片键合技术 智能剥离技术 微电子材料 制造技术 
SOI──21世纪的硅集成电路技术
《世界科学》2001年第1期28-29,共2页张苗 
关键词:SOI 硅集成电路 材料制备 注氧隔离技术 智能剥离技术 应用 
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