21世纪的微电子材料——SOI材料  

作　　者：张臣[1] 

机构地区：[1]中国电子材料行业协会

出　　处：《中国集成电路》2003年第52期88-91,40,共5页China lntegrated Circuit

摘　　要：SOI(Silicon On Insulator)技术是在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的,它是在集成电路进入亚微米、深亚微米后能突破体硅材料与硅集成电路限制的新型集成电路技术。绝缘体上的硅以其独特的材料结构和优异的特性,有效地克服了体硅材料的不足,充分发挥了硅集成技术的潜力,因而它被称为是'21世纪的微电子材料'。

关 键 词：微电子材料 SOI材料 注入氧隔离技术 材料制备 键合背面腐蚀 智能剥离技术 

分 类 号：TN304.1[电子电信—物理电子学]