注氧隔离技术

作品数：4被引量：1H指数：1
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相关机构：中国科学院中国科学院上海冶金研究所北京师范大学沈阳仪表科学研究院有限公司更多>>
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注氧隔离技术SOI晶圆材料高温压阻效应被引量：1
《仪表技术与传感器》2011年第6期1-2,共2页李新 刘沁 
辽宁省自然基金项目(20102162);辽宁省微纳米技术及系统重点实验室;微系统与微制造辽宁省高校重点实验室开放基金项目
针对注氧隔离技术制备的SOI晶圆顶层硅材料的高温压阻效应,设计并制作研究压阻效应的实验装置与测试样品,在高温条件下,利用悬臂梁结构研究SOI晶圆顶层硅的压阻效应。研究结果表明:在一定的掺杂浓度条件下,硅[110]晶向上的纵向压阻系数...
关键词：压阻效应 注氧隔离 高温 
注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线
《半导体信息》2004年第1期28-28,共1页刘广荣 
据《科技开发动态》2003年第10期报导,该发明专利是利用注氧隔离(SIMDX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。其特征是:将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化工艺结合在一起;在制备SOI衬底材料的过程中完成硅量子线...
关键词：量子线 介质隔离 隔离技术 工艺步骤 纳米器件 氧化工艺 衬底材料 高温退火 离子注入 科技开发 
SOI──21世纪的硅集成电路技术
《世界科学》2001年第1期28-29,共2页张苗 
关键词：SOI 硅集成电路 材料制备 注氧隔离技术 智能剥离技术 应用 
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