发展中的SiCOI技术  

The Developing Technology for Silicon Carbide on Insulator

作　　者：张永华[1] 彭军[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安710071

出　　处：《微电子学》2002年第2期81-85,共5页Microelectronics

摘　　要：Si COI技术是 Si C材料与 SOI技术结合而形成的一种新的微电子技术 ,它的产生与发展不仅推动 Si C半导体技术的发展 ,还将弥补 Si SOI技术应用的局限性 ,并将在高温、高频、大功率、抗辐射等电子学领域得到应用和发展。文章介绍了近年来 SiAs a new microelectronics technology formed by combining SiC with SOI technology, SiCOI technology is anticipated to accelerate the development and application of SiC and enhance existing Si SOI technology It is a promising technology for many applications, such as high temperature, high power, high frequency and radiation hardening devices The latest development of SiCOI technology is presented and evaluated in the paper

关 键 词：绝缘层上碳化硅 注氧隔离 晶片键合 蓝宝石上碳化硅 微电子技术 碳化硅半导体 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]