4H-SiC MESFET新结构的特性分析  

作　　者：彭强 

机构地区：[1]汕尾职业技术院,广东省汕尾市516600

出　　处：《电子技术与软件工程》2016年第9期101-102,共2页ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

摘　　要：随着新型材料技术的不断发展,金属半导体材料不断被研发出来,推动了我国微电子产业的发展。碳化硅材料具备诸多优点,在金属半导体场效应晶体管制造中取得显著进展。现将浮空金属板加入到双凹型4H-Si C MESFET栅漏间,并将阶梯沟道引入,使漏端周围的栅边缘电场积聚显著减少,促进击穿电压提升。通过二维数值模拟,可以发现此结构在击穿电压与饱和漏电流方面,具备显著优势。

关 键 词：4H-SIC 击穿电压 饱和漏电流 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]