张敬平

作品数：11被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：SI离子注入硅化物退火硅更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
发文期刊：《物理学报》《真空科学与技术学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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Si_（0．5）Ge_（0．5）合金的热氧化物的研究
《Journal of Semiconductors》1995年第7期491-495,共5页邢益荣 崔玉德 殷士端 张敬平 李侠 朱沛然 徐田冰 
利用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）、Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析，研究了Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５合金在１０００℃下湿氧化所生成的氧化物的特征．结果表明：这种氧化物为双层结构．靠近表面的一层为（Ｓｉ，Ｆｅ）Ｏｘ...
关键词：半导体材料 硅锗合金 热氧化物 
锗离子注入硅单晶的非晶化及二次缺陷的研究
《Journal of Semiconductors》1993年第12期734-737,T001,共5页范缇文 张敬平 P.L.F.Hemment 
本文用卢瑟福背散射(RBS),横断面透射电子显微镜(XTEM)及微区电子衍射技术研究了锗离子注入硅单晶中的非晶化及二次缺陷的特性。离子注入能量为400keV,剂量范围为1×100^(13)至1×10^(15)/cm^2,离子束流强度为0.046μA/cm^2,注入温度为...
关键词：单晶硅 非晶化 缺陷 离子注入 
Si(113)表面原子结构的低能电子衍射研究
《物理学报》1992年第11期1806-1812,共7页邢益荣 吴汲安 张敬平 刘赤子 王昌衡 
国家自然科学基金
利用低能电子衍射(LEED)研究了离子轰击加退火处理的和淀积外延的两种Si(113)表面的原子结构。发现对于经750—800℃退火后的两种Si(113)表面,当其温度高于600℃时存在1×1非再构表面相。随着样品温度缓慢地冷却至室温,Si(113)-1×1表...
关键词：硅 电子衍射 原子结构 低能 
Si(113)表面的原子结构
《Journal of Semiconductors》1991年第2期65-67,共3页邢益荣 张敬平 吴汲安 刘赤子 王昌衡 
利用LEED研究了Si(113)表面的原子结构.清洁表面是采用离子轰击和退火方法制备的.实验发现:当温度高于600℃时表面为1×1结构,随着温度缓慢下降,表面原子结构发生1×1(?)3×1(?)3×2的可逆相变.
关键词：硅 原子结构 LEED 离子轰击 退火 
离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究
《Journal of Semiconductors》1990年第11期866-870,共5页肖光明 殷士端 张敬平 范缇文 刘家瑞 丁爱菊 周均铭 朱沛然 
本文用4.2MeV ~7Li离子卢瑟福背散射沟道技术研究了Si上外延GaAs膜在MeV Si离子注入及红外瞬态退火后的再生长过程。实验表明,离子注入可使GaAs外延膜内形成一无序网络,当注入剂量低于某一阈值时,850℃,15秒退火后,损伤区可完全再结晶,...
关键词：离子注入 退火 GAAS/SI 晶体 
La,Ce及Nd稀土金属硅化物的生成
《Journal of Semiconductors》1990年第7期533-538,共6页牟善明 王佑祥 殷士端 张敬平 刘家瑞 
国家自然科学基金
用AES,X-射线衍射和RBS等方法分析研究了热反应与离子束混合La,Ce及Nd稀土金属膜和硅反应生成硅化物的物理过程。实验表明:不同的生成条件如热反应温度或离子束混合的剂量能生成富金属硅化物,单硅化物和二硅化物,但最终稳定相都是二硅化...
关键词：稀土金属 硅化物 热反应 离子束 
Au—Si界面的室温反应
《真空科学与技术学报》1990年第5期311-315,共5页黄波 张敬平 邢益荣 
国家自然科学基金
利用XPS研究了在超高真空条件下形成的Au—Si(113)界面初始阶段的室温反应,测量了Si2p、2S和Au4f光电子发射峰的强度和能量位置随Au复盖量的变化。所有结果表明,与Au—Si(111)和Au～Si(100)系统一样,存在一个发生界面室温反应的临界Au...
关键词：室温反应 AU SI 发射峰 混合效应 夹层结构 电荷迁移 生长形态 膜厚度 半导体表面 
Si(113)表面电子结构的研究
《Journal of Semiconductors》1989年第9期645-652,共8页张瑞勤 王家俭 戴国才 吴汲安 张敬平 邢益荣 
国家自然科学基金
采用Si_(16)H_(21)和Si_(31)H_(39)原子集团分别模拟Si(113)和Si(111)表面;通过半经验自洽CNDO法计算了两个体系的电子结构.结果表明,Si(113)具有与Si(111)不同的表面态特征.Si(113)表面台阶和台面原子上电荷重新分布,与悬键相关的表面...
关键词：硅 表面悬键态 电子结构 
Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系的As离子注入和退火被引量：2
《Journal of Semiconductors》1989年第9期659-666,共8页吴春武 殷士端 张敬平 范缇文 刘家瑞 朱沛然 
本文用RBS,AES,TEM和X射线衍射等实验方法,分析比较了Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系统在室温下As离子混合和热退火的行为.得出在Ni/Si系统中,硅混合量Q_(s1)与剂量Φ的平方根成正比,形成Ni_2Si相.在Pt/Si系中,硅混合量也与剂量的平方根成正比,先...
关键词：离子注入 离子速混合 硅化物 
InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应
《物理学报》1989年第1期83-90,共8页吴春武 殷士端 张敬平 肖光明 刘家瑞 朱沛然 
用5.8,3.0和1.2MeV的Li离子对用MBE制备的In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs(100)异质结在(100)面中沿[100]及[110]轴进行角扫描。5.8MeV时,[110]轴外延层与衬底沟道对准角的差值为0.90°,从而计算出其晶格失配度为1.62％。3.0MeV时,背散射角...
关键词：应变异质结 反常离子 沟道效应 
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