Si(113)表面的原子结构  

Study of Atomic Structure on Si(113) Surface

作　　者：邢益荣[1] 张敬平[2] 吴汲安[2] 刘赤子[3] 王昌衡[3] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所表面物理实验室,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083 [3]中国科学院表面物理实验室理研究所,北京100080

出　　处：《Journal of Semiconductors》1991年第2期65-67,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：利用LEED研究了Si(113)表面的原子结构.清洁表面是采用离子轰击和退火方法制备的.实验发现:当温度高于600℃时表面为1×1结构,随着温度缓慢下降,表面原子结构发生1×1(?)3×1(?)3×2的可逆相变.Atomic reconstructions were studied in terms of LEED on Si(113) surface pre-pared by ion bombardment and annealing at～800℃.As lowering the temperatureof specimen, we observed the following reversible phase transitions: 1×1(?)3×1(?).

关 键 词：硅 原子结构 LEED 离子轰击 退火 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]