基于不同衬底角度的GaInP/GaAs/InGaAs倒置三结太阳电池性能研究  

作　　者：朱鸿根 

机构地区：[1]南昌大学材料科学与工程学院,江西南昌330031

出　　处：《光源与照明》2024年第8期37-39,共3页Lamps & Lighting

摘　　要：带隙组合为1.9/1.42/1.0 eV的三结GaAs太阳电池具有很好的电流匹配,AM0光谱下理论效率可达38%。由于不同衬底角度生长倒置三结的性能研究报道较少,文章分别采用6°和15°偏向角生长GaInP/GaAs/InGaAs倒置三结太阳电池进行研究,并研究其子电池性能差异。研究表明,6°衬底生长倒置三结表面粗糙度、翘曲,以及XRD均匀性均优于15°衬底。在性能方面,6°衬底电压比15°衬底高13 mV,900~100 nm和1 100~1 250 nm范围内QE光谱响应更高。

关 键 词：衬底角度 倒置生长 三结GaAs太阳电池 晶格失配 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]