氮化镓器件

作品数：55被引量：109H指数：6
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热电子应力对氮化镓器件特性的影响研究
《舰船电子工程》2024年第12期153-156,190,共5页韩滔 聂之君 马帅帅 郭晗 周若臣 孔笑荷 沈郁博 么鹏 张源芷 
随着氮化镓器件应用场合、领域不断增多,氮化镓器件的可靠性问题成为使用过程中最重要的关注点,论文采用应力试验的方法对氮化镓器件在热电子应力条件下的退化情况进行了试验分析,分析了氮化镓器件退化原因,用于设计生产阶段的可靠性保障。
关键词：热电子应力 氮化镓器件 退化 
GaN器件稳态温敏电参数特性的研究
《电工技术学报》2024年第19期5995-6007,共13页王凯宏 朱一荻 孙鹏菊 赵浩 邾玢鑫 
国家自然科学基金联合基金(U22A20226);宜昌市自然科学研究项目(A23-2-019);湖北省自然科学基金(2024AFB234);广西自治区重点研发计划(2022AB05028)资助项目。
氮化镓(GaN)器件因具有高功率密度和高效率等特点,在快速充电设备和数据中心等场景中得到应用。然而,伴随着氮化镓器件热流密度的显著提高,结温成为器件可靠性不容忽视的重要因素。目前基于温敏电参数的氮化镓器件结温监测技术尚处于探...
关键词：氮化镓器件 可靠性 温敏电参数 结温监测 
增强型GaN功率管的可靠性分析
《集成电路应用》2024年第4期22-25,共4页赵媛 王立新 赵高峰 郭敏 
阐述氮化镓器件的结构和特性,描述其开关导通过程并搭建等效模型,从内部驱动电路和外界共模瞬态(CMT)事件的影响两方面进行分析,得出影响氮化镓功率器件可靠性的因素,基于此可靠性分析提出对于不同功率管误开启事件采用的不同解决方案,...
关键词：增强型氮化镓器件 半桥驱动电路 欠阻尼关断 共模瞬态抗扰度 
基于GaN的恒流型无线电能传输电路设计
《电工技术》2024年第1期37-40,共4页韩立业 毛丽娜 方正鹏 
为提升无线电能传输(WPT)系统的效率,利用氮化镓(GaN)器件比传统硅(Si)器件开关损耗低的优势,提出了基于GaN器件的LCL-LCC型感应耦合式电能传输(ICPT)系统与负载无关的恒流输出电路设计方法。首先对LCL-LCC补偿电路建立互感模型,推导出...
关键词：氮化镓器件 ICPT 恒流输出电路 零电压开关 
GaN器件阈值电压漂移特性的研究
《现代电子技术》2023年第24期19-23,共5页鲁金科 赵浩 杜伟兮 
氮化镓(GaN)器件的阈值电压V_(TH)漂移是栅极可靠性问题之一,但常用的栅极电压扫描测试方法复杂,应力长期作用下的VTH漂移特性尚不明确。文中基于恒流注入法测量V_(TH),设计测量所需的mA级恒流源,使用微处理器采集数据,设计输出幅值可...
关键词：氮化镓器件 阈值电压 恒流源 漂移特性 栅极可靠性 恒压应力 动态应力 
国产化S波段500W固态功率放大器的研制被引量：1
《火控雷达技术》2023年第4期43-48,共6页黄薛龙 
安徽省中央引导地方科技发展专项(202101d13050004);安徽省科技重大专项项目(2021d05050005)。
针对国外器件禁运等不稳定因素,研制了一种S波段100%国产化500W功率放大器,该功率放大器主要包括电源模块、监控电路模块、射频增益模块、射频驱动模块、500W末级功放模块、功率检波模块、主动散热冷却系统以及嵌入式系统为基础的核心...
关键词：S波段 100%国产化 氮化镓器件 径向合成 高效脉动热管 功放保护 高效率 高线性 
边界限定条件下的LLC-DCX优化设计被引量：1
《中国电机工程学报》2023年第12期4748-4757,共10页屠腾 张方华 余文浩 束健军 黄恩泽 
国家自然科学基金项目(51777094)。
论文针对小宽度、低高度的中间母线变换器,研究基于磁集成矩阵变压器的直流变压器(LLC-DCX),提出一种考虑电参数、磁性元件结构参数的优化设计方法。针对高度限制,通过低高度式的磁集成方案,有效抵消磁板中的高频磁通量,增加绕组线径;...
关键词：磁集成 边界限定 氮化镓器件 矩阵变压器 
晶通半导体:从科创到智能氮化镓器件产业
《变频器世界》2023年第1期43-44,共2页
近年来,以氮化镓和碳化硅为代麦的第三代学导体具有更宽的禁帶宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力,在科研与产业界都受到了广泛的关注。其中,氮化镓以优异的开关特性成为高效率、高频、小型...
关键词：抗辐射能力 电力电子设备 氮化镓 高功率密度 开关特性 碳化硅 半导体 热导率 
基于浮动源的氮化镓器件导通电阻测试技术研究
《电子质量》2022年第11期12-16,共5页张鹏辉 王建超 
首先,介绍了氮化镓器件的基本特征,以一款氮化镓功率器件为例,介绍了其基本结构、应用场景和关键参数,并研究了其导通电阻的测试;其次,介绍了浮动源的特点,研究了使用浮动源测试氮化镓器件导通电阻的方法,在测试方案的软件、硬件设计上...
关键词：半导体测试 氮化镓器件 导通电阻 浮动源 
氮化镓器件芯片表面银迁移抑制方法研究被引量：3
《中国集成电路》2022年第10期55-60,共6页别业楠 裴轶 赵树峰 
国家重点研发计划项目(2021 YFB3602400)。
封装贴片所用烧结银胶中的银元素有可能在高温高湿度条件下转化为离子并在高电场作用下沿芯片表面迁移从而导致器件电极间漏电甚至短路。本研究工作采用高加速应力实验(HAST)作为加速检验手段,通过对失效样品的物理分析,首先确认了银迁...
关键词：氮化镓 器件芯片 烧结银胶 银迁移 
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