晶通半导体:从科创到智能氮化镓器件产业  

出　　处：《变频器世界》2023年第1期43-44,共2页The World of Inverters

摘　　要：近年来,以氮化镓和碳化硅为代麦的第三代学导体具有更宽的禁帶宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力,在科研与产业界都受到了广泛的关注。其中,氮化镓以优异的开关特性成为高效率、高频、小型化高功率密度电源及其他电力电子设备的首选。

关 键 词：抗辐射能力 电力电子设备 氮化镓 高功率密度 开关特性 碳化硅 半导体 热导率 

分 类 号：TG1[金属学及工艺—金属学]