郭星

作品数:1被引量:2H指数:1
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供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文主题:KINK效应ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《物理学报》更多>>
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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型被引量:2
《物理学报》2012年第4期414-418,共5页马骥刚 马晓华 张会龙 曹梦逸 张凯 李文雯 郭星 廖雪阳 陈伟伟 郝跃 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2011CBA00606)资助的课题~~
初步分析了AlGaN/GaN器件上的kink效应.在直流模型的基础上,建立了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型,并加入了kink效应发生的漏源偏压与栅源偏压的关系.该模型得出较为准确的模拟结果,可用来判断kink效应的发生和电...
关键词:ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 KINK效应 模型 
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